| 講演名 | 2007-12-14 Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価) 平岩 佑介, 安藤 裕一郎, 熊野 守, 上田 公二, 佐道 泰造, 宮尾 正信, 鳴海 一雅, 前田 佳均, |
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| 抄録(和) | ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて,エピタキシャル成長したFe_3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した.軸配向性は堆積温度に強く依存し,200℃以上で劣化することが分かった.そこで,本研究では堆積温度200℃における軸配向性の劣化を明らかにするために,RBS,電子線回折(ED)およびイオンチャネリング・ディップ測定を用いて軸配向性を検討した.その結果,堆積温度200℃における軸配向性の劣化は,Ge(111)面でのエピタキシャル成長時のFe_3Si<111>軸の傾斜成長が原因であることを明らかにした. |
| 抄録(英) | The axial orientation of epitaxially grown Fe_3Si on Ge(111) has been investigated by Rutherford Backscattering spectroscopy. It has been reported that the axial orientation is highly dependent on growth temperature (T_G), and that the degradation of axial orientation is caused above T_G=200℃. In this study, we have investigated the axial orientation of Fe_3Si/Ge(111) grown at 200℃ by electron diffraction and measurement of channel dip curves. We found that the degradation of axial orientation observed at T_G=200℃ was attributed mainly to the tilt of Fe_3Si<111> axis. |
| キーワード(和) | エピタキシャル成長 / Fe_3Si / ラザフォード後方散乱分光法 / 電子線回折 |
| キーワード(英) | Epitaxial growth / Fe_3Si / Rutherford backscattering spectroscopy / Electron diffraction |
| 資料番号 | SDM2007-230 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Axial orientation of epitaxially grown Fe_3Si on Ge(111) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(2)（和/英） | Fe_3Si / Fe_3Si |
| キーワード(3)（和/英） | ラザフォード後方散乱分光法 / Rutherford backscattering spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線回折 / Electron diffraction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平岩 佑介 / Yusuke HIRAIWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕一郎 / Yu-ichiro ANDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 熊野 守 / Mamoru KUMANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 公二 / Koji UEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 鳴海 一雅 / Kazumasa NARUMI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター Advanced Science Research Center, Japan Atomic Energy Agency |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 前田 佳均 / Yoshihito MAEDA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院エネルギー科学研究科 Department of Energy Science and Technology, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-230 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |