| 講演名 | 2007-12-14 光散乱法を利用した薄膜Si_<1-X>Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価) 原 明人, 田村 直義, 中村 友二, |
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| 抄録(和) | エッチング法では観察ができないほどに薄いSiGe中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ56nm,Ge濃度24%のSiGe薄膜中の転位運動を広い温度範囲にわたって測定した。その結果、375℃という非常に低い温度でも一本のアレニウスプロットに従って転位が運動していることを見出した。このことは、今回実験に使用したような高濃度Geサンプルでは、さらに低い温度でも転位が活発にすべり運動する可能性があることを示唆している。また、今回実験に使用したような薄いSi_<0.76>Ge_<0.24>/Siの転位運動の活性化エネルギーは、比較的膜厚が厚いSiGe中の転位のそれと一致することが明らかになった。 |
| 抄録(英) | We succeeded in the observation of dislocation motion in a thin Si_<1-x>Ge_x film (thickness=56nm and x=0.24) on a Si substrate by the light scattering method. The SiGe film is too thin for the observation of dislocation by the etching method. The mobility of dislocation was measured between 580℃ and 375℃ by using the light scattering method and was found to be described by an Arrhenius plot with an activation energy of 1.89eV in the above mentioned temperature range. This result may indicate a sustained dislocation motion at a temperature lower than 375℃. |
| キーワード(和) | SiGe、Si / 転位 / ミスフィット / 光散乱 / 易動度 |
| キーワード(英) | SiGe, Si / dislocation / misfit / light scattering / mobility |
| 資料番号 | SDM2007-229 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光散乱法を利用した薄膜Si_<1-X>Ge_X/Siの転位運動の観測(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Dislocation Motion in Thin Si_<1-x>Ge_x Film on Si Substrate by Light Scattering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiGe、Si / SiGe, Si |
| キーワード(2)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | ミスフィット / misfit |
| キーワード(4)（和/英） | 光散乱 / light scattering |
| キーワード(5)（和/英） | 易動度 / mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北学院大学工学部 Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Tohoku-Gakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 直義 / Naoyoshi Tamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Lab. Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-229 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |