| 講演名 | 2007-12-14 ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価) 古川 弘和, 東 清一郎, 岡田 竜弥, 加久 博降, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, |
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| 抄録(和) | ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプローブ光として照射して測定した実時間反射率波形を解析することで、Siウェハの実時間温度変化をミリ秒時間分解能で決定することが出来た。本測定法は光学干渉に基づいているため温度変化に対する感度が高く、10^4～10^5K/sという高い加熱・冷却レート下でも理想的には2K程度の高い測定温度精度が期待できる。したがって、本測定法がミリ秒時間分解非接触測定技術として有効であることが分かった。 |
| 抄録(英) | In-situ measurement technique of temperature profile in Si wafer during millisecond rapid thermal annealing has been developed. By analyzing the oscillation observed in transient reflectivity during the annealing, we obtain the transient temperature profile with millisecond time resolution. Since this measurement is based on optical interference, highly sensitive temperature measurement with an accuracy of 2K is expected. Based on the measurement technique, Si wafer surface temperature during thermal plasma jet irradiation has controlled with the heating and cooling rates in the order of 10^4～10^5K/s. |
| キーワード(和) | Siウェハ / ミリ秒急速熱処理 / その場観測 / 非接触測定 |
| キーワード(英) | Si wafer / millisecond rapid thermal annealing / in-situ measurement / non-contact measurement |
| 資料番号 | SDM2007-228 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siウェハ / Si wafer |
| キーワード(2)（和/英） | ミリ秒急速熱処理 / millisecond rapid thermal annealing |
| キーワード(3)（和/英） | その場観測 / in-situ measurement |
| キーワード(4)（和/英） | 非接触測定 / non-contact measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古川 弘和 / Hirokazu FURUKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro HIGASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 竜弥 / Tatsuya OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加久 博降 / Hirotaka KAKU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / Hideki MURAKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi MIYAZAKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-228 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | |