| 講演名 | 2007-12-14 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価) 野口 隆, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | After UV pulsed excimer laser annealing to highly phosphorus dosed Si film at a dose of 2E15cm2, the conductivity and the correlating crystallinity in the film were analyzed. The crystallinity deduced by S.E. (Spectroscopic Ellipsometry) and by Raman spectroscopy shows good correlation. The conductivity increased with improving the crystallinity. By performing an optimized laser annealing, efficient solidified activation after instantaneous melting occurs, extremely low sheet resistance value down to 100ohm/sq. was obtained for the annealed Si film. Clear tensile stress was observed similar to the case of ELC (Excimer Laser Crystallization) for un-doped Si film. ELA activation subsequently after ion doping is considered effective to the formation of source and drain in high-performance Si TFTs as well as a sensor diode for SoP (System on Panel). |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si / TFT / Sheet resistance / Activation / Ion doping |
| 資料番号 | SDM2007-227 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effective Activation of Phosphorus atom in Si film using ELA |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi NOGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 琉球大学工学部 University of the Ryukyus, Faculty of Engineering |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-227 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |