| 講演名 | 2007-12-14 Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価) 葛岡 毅, 辻 博史, 桐原 正治, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 短チャネルpoly-Si TFTの容量-電圧(C-V)特性について,2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った.ボディSi膜中に結晶粒界が1本のみ存在する場合を想定したところ,ソース/ドレインへの電荷分割が粒界位置により大きく影響を受けることが分かった.この効果のため,ゲート-ソース間容量(C_ |
| 抄録(英) | Capacitance-voltage characteristics of short channel Poly-Si TFTs containing only a single grain boundary were investigated using a two-dimensional device simulator. It was demonstrated that the drain/source charge partition is significantly affected by the position of the grain boundary, which results, in the asymmetric characteristics of the gate-to-source (C_ |
| キーワード(和) | ポリシリコン / TFT / 結晶粒界 / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | polysilicon / TFT / grain boundary / device simulation |
| 資料番号 | SDM2007-225 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Poly-Si TFTにおける容量 : 電圧特性のシミュレーションによる解析(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Capacitance-Voltage Characteristics of Poly-Si TFTs Using Device Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリシリコン / polysilicon |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶粒界 / grain boundary |
| キーワード(4)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 葛岡 毅 / Tsuyoshi KUZUOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辻 博史 / Hiroshi TSUJI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桐原 正治 / Masaharu KIRIHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-225 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |