| 講演名 | 2007-12-14 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成(シリコン関連材料の作製と評価) 鮫島 俊之, 佐野 直樹, 内藤 勝男, |
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| 抄録(和) | 半導体レーザ加熱による不純物ドープシリコンの活性化について報告する.940nm赤外連続光半導体レーザを試料に掃引照射した.光吸収層として200nm厚のダイヤモンドライクカーボンを試料表面に形成して赤外光を吸収させ,光エネルギーによる加熱を行なった.リンを10と70keVで2×10^<15>cm^<-2>イオン注入した試料に出力70kW/cm^2の半導体レーザを2.6ms照射したとき不純物は完全に活性化してシート抵抗はそれぞれ106及び46Ω/sqに低下した.さらに7.9nm熱酸化膜を通してBF_2イオンを10keV,で1.5×10^<15>cm^<-2>イオン注入した試料に,出力80kW/cm^2の半導体レーザを2.6ms照射したとき,シート抵抗は531Ω/sqに低下した.レーザ加熱による不純物の拡散は5nm未満であることが確認された.初期のイオン注入濃度プロファイルを保った状態で活性化を達成できた. |
| 抄録(英) | We activated silicon implanted with dopant atoms by infrared semiconductor laser annealing with a 200-nm-thick diamond-like carbon optical absorption layer. When silicon samples implanted with phosphorus ions at 10 and 70keV with a concentration of 2×10^<15>cm^<-2> were annealed by irradiation with a 940nm continuous wave laser at 70kW/cm^2 for 2.6ms, the sheet resistance markedly decreased to 106 and 46Ω/sq, respectively. Moreover, when silicon samples implanted with BF_2 ions at 10keV with a concentration of 1.5×10^<15>cm^<-2> thorough 7.9-nm thermally grown SiO_2 layers were annealed by laser at 80kW/cm^2 for 2.6ms, the sheet resistance decreased to 531Ω/sq. Dopant diffusion caused by laser heating for the both cases was below 5nm. Activation of silicon implanted with impurity atoms was achieved with keeping the initial dopant in-depth profiles. |
| キーワード(和) | 活性化 / 拡散 / シート抵抗 / SIMS / フリーキャリヤ |
| キーワード(英) | activation / diffusion / sheet resistance / SIMS / free carrier |
| 資料番号 | SDM2007-223 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/12/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成(シリコン関連材料の作製と評価) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shallow junction formed by semiconductor laser rapid heating |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 活性化 / activation |
| キーワード(2)（和/英） | 拡散 / diffusion |
| キーワード(3)（和/英） | シート抵抗 / sheet resistance |
| キーワード(4)（和/英） | SIMS / SIMS |
| キーワード(5)（和/英） | フリーキャリヤ / free carrier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鮫島 俊之 / T. Sameshima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大工 Tokyo A & T Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 直樹 / N. Sano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ハイテックシステムズ Hightec Systems Co. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 内藤 勝男 / M. Naito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日新イオン機器 Nissin Ion Equipment Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-12-14 |
| 資料番号 | SDM2007-223 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 388 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |