講演名 2007-12-14
パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
越知 誠弘, 菅原 祐太, 三浦 篤志, 浦岡 行治, 冬木 隆, 山下 一郎,
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抄録(和) 我々はこれまでにNi内包フェリチンを用いて高品質のシリコン薄膜の結晶化に成功している。本研究では結晶化時間の短縮を目的として短時間にパルス状に温度変化させた急速熱処理方法(PRTA)に注目して結晶化を試みた。PRTAを用いることで結晶化時間の大幅な短縮が可能となり、フェリチン溶液濃度を最適化することで、平均粒径が5μmを超える結晶粒のpoly-Si薄膜を形成することができた。
抄録(英) Previously, we reported the fabrication method of high quality poly-Si thin film by using Ni core of ferritin with a diameter of 7nm. In this study, we performed crystallization by pulsed rapid thermal annealing (PRTA) method for shortening crystallization time. Polycrystalline silicon thin film with crystal grain of average size of 5.4μm was obtained by PRTA with a low, density of Ni core. This method is promising for fabricating high performance TFTs.
キーワード(和) 多結晶シリコン / 金属誘起固相成長法 / バイオナノプロセス
キーワード(英) Poly-Si / Metal Induced Lateral Crystallization / Bio-Nano Process
資料番号 SDM2007-222
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/12/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Acceleration of Crystal Growth by Pulsed Rapid Thermal Annealing using Ni-Ferritin
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 多結晶シリコン / Poly-Si
キーワード(2)(和/英) 金属誘起固相成長法 / Metal Induced Lateral Crystallization
キーワード(3)(和/英) バイオナノプロセス / Bio-Nano Process
第 1 著者 氏名(和/英) 越知 誠弘 / Masahiro Ochi
第 1 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Science and Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 菅原 祐太 / Yuuta Sugawara
第 2 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Science and Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 三浦 篤志 / Atsushi Okuda
第 3 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Science and Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka
第 4 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Science and Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 冬木 隆 / Takashi Fuyuki
第 5 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学
Nara Institute of Science and Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 山下 一郎 / Ichiro Yamashita
第 6 著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学:松下電器産業株式会社先端技術研究所
Nara Institute of Science and Technology:ATRL, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
発表年月日 2007-12-14
資料番号 SDM2007-222
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 388
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日