講演名 | 2007-12-13 動的安定性を用いたセルレシオの小さいSRAM用メモリセル(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ)) 木原 雄治, 有田 豊, 岡村 玲王奈, 佐藤 広利, 吉原 務, |
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抄録(和) | 0.15umのDRAM技術とTFT技術を用いて開発した新型のSRAMであるSuperSRAMにおいて、SRAMとしての記憶保持メカニズムをDynamic Stabilityという概念を用いて理解し、その特性を吟味する。更に、今後のSRAM開発に役立てるべく検討した内容を示す。 |
抄録(英) | At the SuperSRAM technology that is new SRAM memory cell which uses 0.15um DRAM and TFT technology the mechanism of data retention at active state has been explained by dynamic stability. Then, the new memory cell technology is understood as SRAM memory cell, and also making consideration about new SRAM development. |
キーワード(和) | SRAM / SuperSRAM / Dynamic Stability |
キーワード(英) | SRAM / SuperSRAM / Dynamic Stability |
資料番号 | ICD2007-126 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 2007/12/6(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 動的安定性を用いたセルレシオの小さいSRAM用メモリセル(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A new SRAM memory cell with small cell ratio using dynamic stability |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SRAM / SRAM |
キーワード(2)(和/英) | SuperSRAM / SuperSRAM |
キーワード(3)(和/英) | Dynamic Stability / Dynamic Stability |
第 1 著者 氏名(和/英) | 木原 雄治 / Yuji KIHARA |
第 1 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 有田 豊 / Yutaka ARITA |
第 2 著者 所属(和/英) | 藤田保健衛生大学短期大学 Fujita Health University Collage |
第 3 著者 氏名(和/英) | 岡村 玲王奈 / Leona OKAMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 早稲田大学大学院 Waseda University Graduated School |
第 4 著者 氏名(和/英) | 佐藤 広利 / Hirotoshi SATO |
第 4 著者 所属(和/英) | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
第 5 著者 氏名(和/英) | 吉原 務 / Tsutomu YOSHIHARA |
第 5 著者 所属(和/英) | 早稲田大学大学院 Waseda University Graduated School |
発表年月日 | 2007-12-13 |
資料番号 | ICD2007-126 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 382 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |