講演名 2007-11-01
結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
工藤 耕治, 須藤 信也, ニールセン マッス, 水谷 健二, 岡本 健志, 鶴岡 清貴, 森本 卓夫, 加藤 友章, 佐藤 健二,
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抄録(和) C帯及びL帯をカバーする広帯域利得特性を有する結合量子井戸SOAを開発、液晶チューナブルミラーからなる外部共振器型波長可変レーザ(ECTL)へ適用した結果、±25%の閾値電流変化、13dBm以上のファイバ光出力、50dB以上のSMSR特性を77nmの波長域に亘り実現したので報告する。また、ECTLへの光変調器集積を目指して、SOAへのモノリシック集積に適した構造であるRu-InP埋め込みマッハツェンダー光変調器を開発、C帯及びL帯の波長域に亘り良好な10Gbps-80km超の伝送を実現したので、これについても報告する。
抄録(英) We have developed a wideband SOA as gain chip of a wide band (C+L) tunable laser by introducing coupled QWs. Low threshold current deviation, over 13-dBm fiber coupled power, and high SMSR across a 77-nm tuning range were demonstrated. We also present a 10Gb/s InP-based Mach-Zehnder Modulator with Ru-doped buried hetero-structure waveguides, which is aimed for integration with a tunable laser. C and L band operation is demonstrated, including transmission over 103km of SMF for 1528-1600nm.
キーワード(和) 波長可変レーザ / 波長分割多重 / 外部共振器 / 液晶 / 光変調器 / マッハツェンダー / 光増幅器
キーワード(英) Wavelength Tunable Laser / WDM / External Cavity / Liquid Crystal / Optical Modulator / Mach Zehnder / SOA
資料番号 OCS2007-52,OPE2007-107,LQE2007-93
発行日

研究会情報
研究会 OCS
開催期間 2007/10/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optical Communication Systems (OCS)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Wide-Band External Cavity Wavelength Tunable Laser utilizing a Coupled QWs SOA Gain Chip
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 波長可変レーザ / Wavelength Tunable Laser
キーワード(2)(和/英) 波長分割多重 / WDM
キーワード(3)(和/英) 外部共振器 / External Cavity
キーワード(4)(和/英) 液晶 / Liquid Crystal
キーワード(5)(和/英) 光変調器 / Optical Modulator
キーワード(6)(和/英) マッハツェンダー / Mach Zehnder
キーワード(7)(和/英) 光増幅器 / SOA
第 1 著者 氏名(和/英) 工藤 耕治 / Koji KUDO
第 1 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 須藤 信也 / Shinya SUDO
第 2 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) ニールセン マッス / Mads L. NIELSEN
第 3 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 水谷 健二 / Kenji MIZUTANI
第 4 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 岡本 健志 / Takeshi OKAMOTO
第 5 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 鶴岡 清貴 / Kiyotaka TSURUOKA
第 6 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 森本 卓夫 / Takao MORIMOTO
第 7 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 8 著者 氏名(和/英) 加藤 友章 / Tomoaki KATO
第 8 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
第 9 著者 氏名(和/英) 佐藤 健二 / Kenji SATO
第 9 著者 所属(和/英) NECナノエレクトロニクス研究所
Nano Electronics Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 2007-11-01
資料番号 OCS2007-52,OPE2007-107,LQE2007-93
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 300
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日