| 講演名 | 2007-11-01 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般) 村本 好史, 吉松 俊英, 児玉 聡, 中島 史人, 古田 知史, 伊藤 弘, |
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| 抄録(和) | p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するフォトダイオードは、全光吸収層厚に対して各層厚比を最適化することで通常のPDよりも高い帯域を得ることが訂能である。本報告ではその最適化手法を明らかにすると共に、デジタル応用のための40Gbit/s級PDを作製し、光吸収層厚を0.8μmとした素子で受光感度0.98A/W、3dB帯域50GHzの高速・高感度特性を実現した。またアナログ応用のための15GHz級PDを作製し、歪特性について評価した結果、同程度の光吸収層厚を有するpin-PDと比較して良好な線形性と5～10dB以上高い3次インターセプトポイント(IP_3)が得られた。これらの結果は、本構造のPDがアナログ応用にも適していることを示している。 |
| 抄録(英) | We proposed a new design principle for a photodiode structure that has a depleted InGaAs absorption layer combined with a neutral p-type InGaAs absorption layer. When the total thickness of the absorption layer is constant, the thickness ratio between those two layers has an optimum value to minimize the carrier delay time and yield the highest bandwidth. This optimal structure simultaneously provides the highest efficiency for a required bandwidth. A fabricated photodiode with a 0.8-μm InGaAs absorption layer yielded a responsivity of 0.98 A/W and a bandwidth of 50 GHz, demonstrating a superior efficiency/bandwidth tradeoff over a conventional pin photodiode. In addition, the fabricated device exhibited better linearity and 5-10dB smaller distortion component (IP_3), indicating its feasibility for analog applications. |
| キーワード(和) | フォトダイオード / 高速・高感度 / 低歪み |
| キーワード(英) | Photodiode / High speed / High efficiency / Low distortion |
| 資料番号 | OCS2007-44,OPE2007-99,LQE2007-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2007/10/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-speed and high-efficiency photodiode with p-InGaAs/i-InGaAs absorption layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトダイオード / Photodiode |
| キーワード(2)（和/英） | 高速・高感度 / High speed |
| キーワード(3)（和/英） | 低歪み / High efficiency |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村本 好史 / Yoshifumi Muramoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉松 俊英 / Toshihide Yoshimatsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所 NTT Network Innovation Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 児玉 聡 / Satoshi Kodama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中島 史人 / Fumito Nakajima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古田 知史 / Tomofumi Furuta |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 弘 / Hiroshi Ito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation |
| 発表年月日 | 2007-11-01 |
| 資料番号 | OCS2007-44,OPE2007-99,LQE2007-85 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 300 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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