| 講演名 | 2007-11-16 AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) 松下 景一, 寺本 信一郎, 桜井 博幸, 沈 正七, 川崎 久夫, 高木 一考, 高田 賢治, 津田 邦男, /, /, /, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電圧で動作するため、素子の信頼性は非常に重要な問題である。本報告では、AlGaN/GaN HEMTデバイスについて、DCストレスによる信頼性の評価を行った。電流劣化は、電圧、チャネル温度、ドレイン電流に依存性があることを確認した。素子分離方法によって素子の信頼性に差があることを確認し、その劣化原因について検討した。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs devices are studied intensely because of its ability of operation at higher voltage with higher power density. As the study progress, it is realized that the reliability of the fabricated device is a quite important issue. From the reliability study of AlGaN/GaN HEMTs, it is found that the current degradation has relationships with the isolation structure. In this paper, the differences of current degradations between two isolation methods are studied and some interpretations concerning the source of these degradations are discussed. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / 信頼性 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / reliability |
| 資料番号 | R2007-50,ED2007-183,SDM2007-218 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/11/9(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reliability Study of AlGaN/GaN HEMTs Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松下 景一 / Keiichi Matsushita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺本 信一郎 / Sakurai Hiroyuki / |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 / Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桜井 博幸 / Kawasaki Hisao / |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 / Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 沈 正七 / Kazutaka Takagi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川崎 久夫 / Yoshiharu Takada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 / Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高木 一考 / Kunio Tsuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 高田 賢治 / Kazutoshi Masuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 津田 邦男 / Shinji Takatsuka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | / / Masahiko Kuraguchi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | / Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | / / Takuma Suzuki |
| 第 10 著者 所属（和/英） | / Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | / / Takashi Suzuki |
| 第 11 著者 所属（和/英） | / Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2007-11-16 |
| 資料番号 | R2007-50,ED2007-183,SDM2007-218 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 320 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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