| 講演名 | 2007-11-16 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) 井上 雄介, 増田 哲, 金村 雅仁, 多木 俊裕, 牧山 剛三, 岡本 直哉, 今西 健治, 吉川 俊英, 原 直紀, 重松 寿生, 常信 和清, |
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| 抄録(和) | 高信頼GaN-HEMT開発のためGaN-HEMT素子の劣化モードの解析を行った。GaN-HEMTにおいては、信頼度に関する解析が十分でなく突然劣化というピンチオフ状態でドレイン電流が増加する現象があることが報告されている[6]。本報告では劣化モードの解析を実施し、突然劣化現象がGaN-HEMTのゲートリークと強い相関があることを見出し、ゲートリーク電流により突然劣化素子を除去するための手法を提案する。提案した手法によって突然劣化素子を除去し、ドレイン電圧50Vピンチオフ通電試験を実施した。その結果、200℃におい10^6時間を超える長期信頼性を実現した。 |
| 抄録(英) | We analyzed the degradation mode for highly-reliable GaN-HEMTs. It was reported that GaN-HEMT devices had the sudden degradation mode to increase the drain current under the pinch-off condition. In this paper, we found that the gate-leakage current had the correlation with the sudden degradation and proposed a new approach to eliminate sudden-degradation devices. By measuring the gate leakage current before stress test, we can predict the sudden degradation. Using this method, we could select the reliable devices with a life of over 1 x 10^6 hours at high-temperature of 200℃. |
| キーワード(和) | GaN-HEMT / ピンチオフ / ゲートリーク |
| キーワード(英) | GaN-HEMT / pinch-off / gate leakage |
| 資料番号 | R2007-51,ED2007-184,SDM2007-219 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | R |
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| 開催期間 | 2007/11/9(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Reliability(R) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Degradation-Mode Analysis for Highly Reliable GaN-HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN-HEMT / GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ピンチオフ / pinch-off |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリーク / gate leakage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 雄介 / Yusuke INOUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 哲 / Satoshi MASUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金村 雅仁 / Masahito KANAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岡本 直哉 / Naoya OKAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji IMANISHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 吉川 俊英 / Toshihide KIKKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 重松 寿生 / Hisao SHIGEMATSU |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo JOSHIN |
| 第 11 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-11-16 |
| 資料番号 | R2007-51,ED2007-184,SDM2007-219 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 318 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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