| 講演名 | 2007-11-28 GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) 今藤 修, / 廣瀬 裕, 福島 康之, 瀧川 信一, |
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| 抄録(和) | 我々は、GaAsよりも破壊電界強度が一桁高いGaNを光伝導層に用いた大口径型の光伝導スイッチを作製し、紫外光励起によるテラヘルツ電磁波の発生を確認した。光伝導層の高抵抗化のためGaNには炭素(C)をドーピングを行い、60MΩcm以上の高い抵抗率を得た。今回作製した光伝導スイッチから放射されたテラヘルツ波パルスのエネルギーは、500Vの印加電圧下で93.3pJ/pulseであった。また、テラヘルツ時間領域分光法で得たテラヘルツパルスのスペクトル波形は、0.1-0.2THzの周波数領域に強度ピークを有していた。 |
| 抄録(英) | We present apparently the first observation of sub-terahertz electromagnetic wave emission from GaN based large aperture photoconductive switches (LA-PCSWs) excited by ultraviolet femtosecond laser pulses. The photoconductive layer of the GaN LA-PCSW is doped with carbon giving rise to a resistivity as high as 60M□cm. The absolute energy of the emitted radiation pulses is measured to be 93.3pJ/pulse under 500V bias voltage. The Fourier spectrum of the measured pulse by the time-domain-spectroscopy shows the main components lie in 0.1-0.2THz regime. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | GaN / photoconductive switch / terahertz / electromagnetic wave emission |
| 資料番号 | ED2007-201 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High power sub-terahertz electromagnetic wave radiationfrom GaN photoconductive switch |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今藤 修 / Osamu Imafuji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 廣瀬 裕 / Brahm Pal Singh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福島 康之 / Yutaka Hirose |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 瀧川 信一 / Yasuyuki Fukushima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-11-28 |
| 資料番号 | ED2007-201 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 355 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |