講演名 2007-11-27
HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
半田 大幸, 細野 洋平, 津田 祐樹, / 末光 哲也, 尾辻 泰一,
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抄録(和) 2重回折格子ゲートを有する高電子移動度トランジスタ構造からなる2次元プラズモン共鳴型テラヘルツ電磁波放射デバイスを試作し,そのテラヘルツ帯電磁波放射特性を評価した.本素子は,2次元電子走行層内に凝集した電子集団のプラズマ振動量子(プラズモン)を電気的,光学的にコヒーレントに励起し,そのプラズマ振動を種として,2重回折格子型ゲートのアンテナ機構を介して空間放射可能なテラヘルツ電磁波を生成する.プラズモンの励起方法としては,直流バイアスもしくは直流光電流注入によるによる電気的不安定性励起,フォトミキシング励起,フェムト秒レーザ励起などの手法がある.本稿では,直流バイアスおよび直流光電流注入による自励発振モードでのテラヘルツ電磁波放射特性をフーリエ変換赤外分光計で計測した結果を中心に述べる.
抄録(英) We have fabricated the 2D plasmon resonant emitter which contains double grating gate structure and estimated its emission characteristics of terahertz electromagnetic wave. This device excites plasma vibrational quantum of electron concentrated inside of a two dimensional electron transit layer electrically, optically, and coherently. By using this oscillation, it can generate terahertz electromagnetic wave through antenna structure of dual interedigitated gate. There are some methods as excitation of plasmon like electrical instability excitation due to direct current bias or photo current injection, photomixing excitation, and femtosecond laser excitation. This report is mainly written about the result of terahertz electromagnetic wave characteristics by using self oscillation mode due to direct current bias and injection of direct photo current, given by FTIR.
キーワード(和) テラヘルツ / プラズモン共鳴 / プラズマ不安定性 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT)
キーワード(英) terahertz / plasmon resonance / plasma instability / high-electron-mobility-transistor (HEMT)
資料番号 ED2007-195
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2007/11/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Emission of terahertz electromagnetic radiation from a 2-dimensional plasmon-resonant emitter of a HEMT structure
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ / terahertz
キーワード(2)(和/英) プラズモン共鳴 / plasmon resonance
キーワード(3)(和/英) プラズマ不安定性 / plasma instability
キーワード(4)(和/英) 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / high-electron-mobility-transistor (HEMT)
第 1 著者 氏名(和/英) 半田 大幸 / Hiroyuki HANDA
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of electric communication, Tohoku University
第 2 著者 氏名(和/英) 細野 洋平 / Yohei HOSONO
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of electric communication, Tohoku University
第 3 著者 氏名(和/英) 津田 祐樹 / Yuki TSUDA
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of electric communication, Tohoku University
第 4 著者 氏名(和/英) / 末光 哲也 / Yahya Moubarak MEZIANI
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of electric communication, Tohoku University
第 5 著者 氏名(和/英) 尾辻 泰一 / Tetsuya SUEMITSU
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所
Research Institute of electric communication, Tohoku University
発表年月日 2007-11-27
資料番号 ED2007-195
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 355
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日