| 講演名 | 2007-10-12 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 橋本 直樹, 結城 明彦, 斉藤 英幸, 王 新強, 崔 成伯, 石谷 善博, 吉川 明彦, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法によるGa極性GaN上のInN超薄膜成長メカニズムを明らかにするするため、InN供給量に対するInN層厚の依存性の調査と、RHEED、SEによるInN成長、脱離過程のリアルタイムその場観察を行った。それらの結果から、成長温度650℃ではInN供給量を多くしても、InN層厚は2分子層以下にセルフリミットされる機構を発見した。また、このInN層厚のセルフリミット機構はGaNマトリクス効果によって起きていることが分かった。 |
| 抄録(英) | In order to clarify RF-MBE growth mechanism of ultrathin InN on Ga-polarity GaN, we investigated tolal supply of InN dependence on InN well thickness, and performed in-situ and real time monitoring and analyzing of InN growth and desorption process. We found that InN well thickness was independent of total supply of InN and self-limited to less than 2ML. The self-limiting system in thickness of InN well was due to GaN matrix effect. |
| キーワード(和) | 窒化インジウム / 量子井戸 / セルフリミッティング / その場観察 / RF-MBE |
| キーワード(英) | Indium nitride / Quantum well / Self-limiting / in-situ monitoring / RF-MBE |
| 資料番号 | ED2007-175,CPM2007-101,LQE2007-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of novel InN/GaN multi-quantum wells consisting of one-monolayer InN wells in GaN matrix for application for new structure light emitting devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化インジウム / Indium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 量子井戸 / Quantum well |
| キーワード(3)（和/英） | セルフリミッティング / Self-limiting |
| キーワード(4)（和/英） | その場観察 / in-situ monitoring |
| キーワード(5)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 直樹 / Naoki HASHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 結城 明彦 / Akihiko YUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斉藤 英幸 / Hideyuki SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 新強 / Xinqiang WANG |
| 第 4 著者 所属（和/英） | JST-CREST千葉大学InNプロジェクト InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 崔 成伯 / Song-Bek CHE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Graduate School of Engineering, Chiba University :VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石谷 善博 / Yoshihiro ISHITANI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Graduate School of Engineering, Chiba University :VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 吉川 明彦 / Akihiko YOSHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 千葉大学大学院工学研究科:千葉大学VBL:JST-CREST千葉大学InNプロジェクト Graduate School of Engineering, Chiba University :VBL, Chiba University:InN-Project as CREST-program of JST, Chiba University |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-175,CPM2007-101,LQE2007-76 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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