| 講演名 | 2007-10-12 青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 蟹江 壽, 明石 健一, |
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| 抄録(和) | 第1段階でGa硫化物とアンモニアとの反応でGaNを合成し、第2段階でGaNとIn硫化物の混合物とアンモニアとの反応で合成する2段階成長法を用いてInGaNを作製した。第2段階の成長温度、時間、原料のGa:Inモル比を変えて作製し、EPMAで結晶の形状、CL特性を調べたところ、紫外領域と可視領域にピークを持つ発光が見られた。950℃以上、5時間で成長させた柱状InGaNからのピーク波長はC面から370nm、柱面から420nmであった。950℃、10時間で成長させた表面に多数のピット構造のある結晶では紫外発光領域と青色発光領域はクレスト部分で重なっていて、紫外発光のピークは390nm、青色発光のピークは444nmと長波長化した。成長温度950℃、時間を3時間にした試料では結晶表面の凹凸が激しく、紫外発光のピークは370nmで、可視領域の発光ピークは570nmまで長波長化した。青色発光するIn濃度をもつInGaNが成長できるような表面を持つGaNまたはInGaNの下地を得られる成長条件を探索する必要がある。 |
| 抄録(英) | InGaN microcrystals were grown by nitridation of the mixture of In sulfide with ammonia and GaN microcrystals, which were grown by nitridation of Ga sulfide with ammonia, under various conditions, such as growth periods, temperature, or ratio of Ga to In in the source materials. Observation of morphology and measurement of cathodoluminescence properties of grown InGaN were achieved by an EPMA (Shimazu 8705). Crystals showed CL spectra with two peaks at ultraviolet and blue regions. Crystals grown in 5 hours at 950℃ had columnar structure with a basal plane emitting violet luminescence at 370 nm and prismatic plane emitting luminescence at 420 nm. Crystals grown in 10 hours at 950℃ had surface with many pits and ridges which emitting both violet luminescence at 390 nm and blue luminescence at 444 nm. Crystals grown in 3 hours had rough surfaces on some region emitting violet luminescence at 370 nm and other region emitting orange luminescence at 540 nm. Adjusting indices of planes where InGaN microcrystals grow is necessary to obtain pure blue luminescence in the region of 450-460 nm. |
| キーワード(和) | InGaN / GaN / 低電圧蛍光体 / 結晶形態 / CL特性 |
| キーワード(英) | InGaN / GaN / low-voltage phosphor / morphology of crystals / CL properties |
| 資料番号 | ED2007-174,CPM2007-100,LQE2007-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 青色発光InGaN微結晶の作製条件(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Morphology and cathodoluminescence properties of InGaN microcrystals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧蛍光体 / low-voltage phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶形態 / morphology of crystals |
| キーワード(5)（和/英） | CL特性 / CL properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蟹江 壽 / Hisashi KANIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 明石 健一 / Kenichi AKASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-174,CPM2007-100,LQE2007-75 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |