| 講演名 | 2007-10-12 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 徳田 豊, 松岡 陽一, 妹尾 武, 上田 博之, 石黒 修, 副島 成雅, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | 自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n^+基板上にn層(10μm,Si～2x10^<16>cm^<-3>)、p層(1μm,Mg～3x10^<19>cm^<-3>)成長試料と同様なn層上にp層(0.5μm,Mg～5x10^<18>cm^<-3>)/p^+層(0.1μm,～1x10^<20>cm^<-3>)成長試料を作成した。その後ICPエッチングによりメサ構造を形成した。ICP後にウエットエッチング処理した試料では、電流-電圧特性の向上が見られた。アドミタンススペクトロスコピーからは、Mgに関連した信号が観測された。DLTS測定から、2個の多数キャリアトラップ(0.26,0.59 eV)と1個の少数キャリアトラップ(0.89eV)が観測された。他に明瞭なピークとはならないが2個の少数キャリアトラップがある。これらの中で、0.89eV少数キャリアトラップの濃度が最も高い(1.3x10^<15>cm^<-3>)。 |
| 抄録(英) | We report the electrical characterization of homoepitaxially-grown pn GaN by MOCVD on free-standing GaN substrates. The 10-μm n GaN (Si～2x10^<16> cm^<-3>) was grown on n^+ GaN, followed by the growth of the 1-μm p GaN (Mg～3x10^<19> cm^<-3>) or followed by the growth of the 0.5-μm p GaN (Mg～5x10^<18> cm^<-3>) and 0.1-μm p^+ GaN (Mg～1x10^<20> cm^<-3>).The mesa structures were fabricated by ICP etching. The wet etching after ICP improves the current-voltage characteristics. The admittance spectroscopy reveals the Mg-related peaks. DLTS measurements show two majority-carrier traps (0.26, 0.59eV) and one minority-carrier trap (0.89eV) with two unclear minority-carrier traps. The 0.89eV minority-carrier trap is dominant with the trap concentration of 1.3x10^<15> cm^<-3>. |
| キーワード(和) | GaN / ホモエピタキシャル成長 / pnダイオード / DLTS |
| キーワード(英) | GaN / homoepitaxial growth / pn diodes / DLTS |
| 資料番号 | ED2007-173,CPM2007-99,LQE2007-74 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of Homoepitaxially-Grown pn GaN Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ホモエピタキシャル成長 / homoepitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | pnダイオード / pn diodes |
| キーワード(4)（和/英） | DLTS / DLTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 徳田 豊 / Yutaka TOKUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松岡 陽一 / Youichi MATSUOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 妹尾 武 / Takeshi SEO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 Aichi Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 博之 / Hiroyuki UEDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 修 / Osamu Ishiguro |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 副島 成雅 / Narimasa Soejima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu Kachi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Research & Development Laboratories Incorporation |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-173,CPM2007-99,LQE2007-74 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |