| 講演名 | 2007-10-12 Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 柏原 康, 高木 重徳, 増田 和俊, 松下 景一, 小野寺 賢, 高木 一考, 川崎 久夫, 高田 賢治, 津田 邦男, |
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| 抄録(和) | 我々はKu滞アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52nmのAlGaN/GaN HEMT 2チップをパッケージ実装した素子において、13.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(V_ |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for Ku-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 23.04 mm gate periphery exhibits output power of over 50W with a power added efficiency (PAE) of 16.5% under VDS=30V, CW operating condition at 13.5GHz. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / Ku帯 / 50W / 高出力 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HEMT / Ku-band / 50W / high power |
| 資料番号 | ED2007-172,CPM2007-98,LQE2007-73 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ku-band AlGaN/GaN HEMTs with 50W Output Power |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | Ku帯 / Ku-band |
| キーワード(5)（和/英） | 50W / 50W |
| キーワード(6)（和/英） | 高出力 / high power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柏原 康 / Yasushi Kashiwabara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 重徳 / Shigenori Takagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松下 景一 / Keiichi Matsushita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小野寺 賢 / Ken Onodera |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高木 一考 / Kazutaka Takagi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川崎 久夫 / Hisao Kawasaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高田 賢治 / Yoshiharu Takada |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 津田 邦男 / Kunio Tsuda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-172,CPM2007-98,LQE2007-73 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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