講演名 2007-10-12
AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
児玉 和樹, 西田 猛利, 塩島 謙次, 葛原 正明,
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抄録(和) AlInN/InGaNヘテロ接合FETの高周波特性について理論予測を行った。解析には、2次元空間におけるアンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いた。チャネル材料として、電子輸送特性に優れる高In組成InGaN(InNを含む)を用いることにより、高周波特性の向上を確認した。短チャネル効果を抑制しつつゲート長を20nm以下に設定することにより、電流利得遮断周波数がテラヘルツ領域に達することを理論的に予測した。
抄録(英) High-frequency performance of AlInN/InGaN heterojunction FETs has been theoretically studied. Analyses were made using 2D ensemble Monte Carlo simulation. Due to the superior electron transport properties of InGaN, high-frequency performance was significantly improved for devices with InGaN or InN as a channel material. Simulation results indicated that the AlInN/InN HEMT devices with a gate length of below 20nm reached a current gain cutoff frequency in a THz frequency range.
キーワード(和) InGaN / InN / HEMT / 電流利得遮断周波数 / テラヘルツ
キーワード(英) InGaN / InN / HEMT / current gain cutoff frequency / THz
資料番号 ED2007-171,CPM2007-97,LQE2007-72
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2007/10/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Theoretical study of high-frequency performance for AlInN/InGaN heterojunction FETs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InGaN / InGaN
キーワード(2)(和/英) InN / InN
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT
キーワード(4)(和/英) 電流利得遮断周波数 / current gain cutoff frequency
キーワード(5)(和/英) テラヘルツ / THz
第 1 著者 氏名(和/英) 児玉 和樹 / Kazuki KODAMA
第 1 著者 所属(和/英) 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
Department of Electrical and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, University of Fukui
第 2 著者 氏名(和/英) 西田 猛利 / Taketoshi NISHIDA
第 2 著者 所属(和/英) 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
Department of Electrical and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, University of Fukui
第 3 著者 氏名(和/英) 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA
第 3 著者 所属(和/英) 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
Department of Electrical and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, University of Fukui
第 4 著者 氏名(和/英) 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA
第 4 著者 所属(和/英) 福井大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
Department of Electrical and Electronics Engineering, Graduate School of Engineering, University of Fukui
発表年月日 2007-10-12
資料番号 ED2007-171,CPM2007-97,LQE2007-72
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 252
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日