講演名 2007-10-12
AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
田島 正文, 小谷 淳二, 田村 隆博, 橋詰 保,
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抄録(和) AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス(BTストレス)評価と表面制御プロセスの開発を行なった。オフ状態でのBTストレス(220℃)により、HEMTのドレイン電流特性および伝達特性はいずれも著しい劣化が見られた。表面制御プロセスを行なったデバイスでは、ゲート漏れ電流が3桁以上低減し、同時に電流特性の温度依存性が明確になった。また、表面制御プロセス後のHEMTは、BTストレスによっても電流特性の劣化は示さず、非常に安定した動作特性を持つことが明らかになった。表面制御プロセスによりAlGaN表面近傍の不純物・欠陥に関連する電子捕獲準位が低減し、準位を介する欠陥増殖が抑制されたことが、安定動作の一因になったものと思われる。
抄録(英) We have investigated the change in DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs after the gate-and drain-bias stress at high temperatures. A pronounced reduction of drain current and a degradation of transfer characteristics were observed after an off-state stress at 220℃. To improve the operation stability of the HEMT device, we have developed a surface control process utilizing an ultrathin Al layer. The process was very effective in reducing gate leakage currents. The device with the surface control process showed no degradation in DC characteristics even after the off-state stress at 220℃. It is likely that the surface process effectively suppress a trap- and/or defect-assisted multiplication of defect levels near AlGaN surface during the BT stress.
キーワード(和) GaN / AlGaN / HEMT / 表面制御 / 安定性 / 信頼性
キーワード(英) GaN / AlGaN / HEMT / surface control / stability / reliability
資料番号 ED2007-170,CPM2007-96,LQE2007-71
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2007/10/4(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Surface control of AlGaN/GaN structure and its application to transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(3)(和/英) HEMT / HEMT
キーワード(4)(和/英) 表面制御 / surface control
キーワード(5)(和/英) 安定性 / stability
キーワード(6)(和/英) 信頼性 / reliability
第 1 著者 氏名(和/英) 田島 正文 / M. Tajima
第 1 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
第 2 著者 氏名(和/英) 小谷 淳二 / J. Kotani
第 2 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
第 3 著者 氏名(和/英) 田村 隆博 / T. Tamura
第 3 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
第 4 著者 氏名(和/英) 橋詰 保 / T. Hashizume
第 4 著者 所属(和/英) 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
発表年月日 2007-10-12
資料番号 ED2007-170,CPM2007-96,LQE2007-71
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 252
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日