| 講演名 | 2007-10-12 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 寺田 豊, 鈴江 隆晃, 石川 博康, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化についてGaN/AlN多層膜を検討した。ウエハーの反りの測定をしたところ、総膜厚の増加とともに反りは増加した。しかし、GaNの膜厚が薄い場合は、反りは増加しなかった。また、Hall効果測定の移動度の温度特性評価をしたところ、層数の増加とともに移動度が向上した。これは、多層膜とGaN層の界面における転位の減少によるものだと考えられる。多層膜100ペアの場合はクラックがウエハー全面に発生してしまうため、70ペア程度が適当であると考えられる。 |
| 抄録(英) | We investigated GaN/AlN multilayers for thick buffer of AlGaN/GaN HEMTs on Si. Epiwafer bowing increased with increasing the total epilayer thickness. But epiwafer bowing did not increase when the thickness of GaN was thin. In the investigation of temperature dependent Hall measurement, Hall mobilities increased with increasing the number of pairs in multilayers. It was due to decreasing of dislocation in the interface between GaN and multilayers. Since so many cracks observed in epiwafer with 100 pair multilayers, 70 pairs are suitable. |
| キーワード(和) | 4インチ / Si基板 / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | 4-inch / Si substrate / GaN / AlGaN/GaN / MOCVD / HEMT |
| 資料番号 | ED2007-168,CPM2007-94,LQE2007-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on AlGaN/GaN HEMT structures on 4-inch Si(111) substrates with thick buffer layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4インチ / 4-inch |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(6)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺田 豊 / Yutaka TERADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴江 隆晃 / Takaaki SUZUE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-168,CPM2007-94,LQE2007-69 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |