| 講演名 | 2007-10-12 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 松田 慶太, 川崎 健, 中田 健, 五十嵐 武司, 八重樫 誠司, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐圧特性を実現する次世代パワースイッチングデバイスへの応用が期待されている。しかしながら、現在広く用いられているNi/Auのショットキ電極はゲートリーク電流が大きいという問題がある。そのため、信頼性の低下や消費電力の増大が懸念される。今回、我々はショットキ接合界面にITOを用いることでリーク電流を大幅にし、温度依存性を測定してそのメカニズムを考察した。次にITO/Ni/Au電極を用いたHEMTを作製してNi/Auとの比較を行なった。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs are attractive devices for high power switching applications because of their high electron mobility and high breakdown characteristics. However, conventional Ni/Au Schottky electrode has high reverse leakage current[1], which deteriorates reliability and increases power dissipation. Now we report that the reduction of Schottky leakage current and low leakage current HEMT characteristics were achieved by using indium-tin-oxide (ITO) electrode instead of Ni/Au electrode. |
| キーワード(和) | ITO電極 / 低リーク電流 / ショットキ特性 / 温度依存性 / HEMT特性 / ゲートリーク電流 |
| キーワード(英) | ITO electrode / lower leakage current / Schottky characteristics / temperature dependence / HEMT characteristics / gate leakage current |
| 資料番号 | ED2007-167,CPM2007-93,LQE2007-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low leakage current ITO Schottky electrode for AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ITO電極 / ITO electrode |
| キーワード(2)（和/英） | 低リーク電流 / lower leakage current |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキ特性 / Schottky characteristics |
| キーワード(4)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| キーワード(5)（和/英） | HEMT特性 / HEMT characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | ゲートリーク電流 / gate leakage current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松田 慶太 / Keita MATSUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ Eudyna Devices Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川崎 健 / Takeshi KAWASAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ Eudyna Devices Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / Ken NAKATA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ Eudyna Devices Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 武司 / Takeshi IGARASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ Eudyna Devices Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八重樫 誠司 / Seiji YAEGASSI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ Eudyna Devices Inc. |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-167,CPM2007-93,LQE2007-68 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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