| 講演名 | 2007-10-12 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 酒井 亮輔, 西田 猛利, 塩島 謙次, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 多段および傾斜フィールドプレート(FP)を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関して、2次元アンサンブルモンテカルロシミュレーションを用いて理論解析を行った。多段FP構造を用いることにより、チャネル電界の最大値が改善されることを確認した。傾斜FP構造の電界分布は多段FP構造のものと比較して、より均一になることが示された。デバイスの設計指針として、所望のドレイン電圧に対して、FP長とSiO_2膜厚の最適な組合せを記述する簡単な関係式を導出した。 |
| 抄録(英) | We have theoretically analyzed the electric field distribution for multi-step and graded Field Plate (FP) AlGaN/GaN HEMTs based on an ensemble Monte Carlo 2D device simulation. The concept of multi-step FP structure was proved to be effective for improving the breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs. It was demonstrated that the electric field distribution of the graded FP structure is more uniform than that of the multi-step FP structure. As a design guideline for the FP HEMT, a simple equation describing the relationship between the FP length and the SiO_2 film thickness was derived for a given drain voltage. |
| キーワード(和) | フィールドプレート / GaN / HEMT / 耐圧 / モンテカルロシミュレーション |
| キーワード(英) | Field Plate / GaN / HEMT / Breakdown Voltage / Monte Carlo Simulation |
| 資料番号 | ED2007-165,CPM2007-91,LQE2007-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Study of Multi-Step and Graded Field Plates for AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドプレート / Field Plate |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / Breakdown Voltage |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 酒井 亮輔 / Ryosuke Sakai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西田 猛利 / Taketoshi Nishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Fukui |
| 発表年月日 | 2007-10-12 |
| 資料番号 | ED2007-165,CPM2007-91,LQE2007-66 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |