| 講演名 | 2007-10-11 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 水江 千帆子, 松山 哲也, 小谷 淳二, ミツェーク マルチン, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にAlO_x膜を用いてGaN MIS構造を作製し、その容量-電圧特性(C-V)と紫外光応答特性(光支援C-t)を評価した。AlO_x膜は、ヂエチルアルミニウムエトキサイド溶液をECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマにより分解し、溶液が本来含むAl-O結合を堆積する方法により成膜した。作製したAlO_x/n-GaN MIS構造の、C-V特性の温度依存性は弱く、AlO_x/GaN界面に存在する界面準位は比較的低密度であることが示唆された。また、光支援C-t測定を行い紫外光照射に対する容量値の変化を測定した結果、空乏条件でのMIS構造の紫外光応答は比較的高速で、かつ照射下のピーク容量値の温度依存性は非常に弱く、MIS構造の特徴である熱安定性が示された。 |
| 抄録(英) | For UV-detector application, n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) structure was fabricated using AlO_x, layer which was deposited on n-GaN assisted by Electron Cyclotron Resonance(ECR)-plasma. Diethyl aluminum ethoxide(DEA-E) was used as a source material for AlO_x deposition. In the AlO_x/GaN MIS structure, the experimental C-V curve was close to the calculated one, and the C-V characteristics were almost independent of temperature. These results indicated a relatively low density of states at the AlO_x/n-GaN interface. The capacitance at the depletion region showed a relatively fast response to an UV illumination. We also found that the peak value of capacitance under illumination showed less temperature dependence, indicating the operation stability of the AlO_x/n-GaN structure. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / Al_2O_3 / MIS / C-V / 高温 / 紫外光応答 / 紫外光センサ / 火炎センサ |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / Al_2O_3 / MIS / C-V / high temperature / UV-response / UV-detector / Flame detector |
| 資料番号 | ED2007-164,CPM2007-90,LQE2007-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | UV-response characteristics of insulator/n-GaN MIS structures for sensor application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
| キーワード(4)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(5)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(6)（和/英） | 高温 / high temperature |
| キーワード(7)（和/英） | 紫外光応答 / UV-response |
| キーワード(8)（和/英） | 紫外光センサ / UV-detector |
| キーワード(9)（和/英） | 火炎センサ / Flame detector |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水江 千帆子 / Chihoko Mizue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松山 哲也 / Tetsuya Matsuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / Junji Kotani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ミツェーク マルチン / Marcin Miczek |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-164,CPM2007-90,LQE2007-65 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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