講演名 | 2007-10-11 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 水江 千帆子, 松山 哲也, 小谷 淳二, ミツェーク マルチン, 橋詰 保, |
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抄録(和) | Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にAlO_x膜を用いてGaN MIS構造を作製し、その容量-電圧特性(C-V)と紫外光応答特性(光支援C-t)を評価した。AlO_x膜は、ヂエチルアルミニウムエトキサイド溶液をECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマにより分解し、溶液が本来含むAl-O結合を堆積する方法により成膜した。作製したAlO_x/n-GaN MIS構造の、C-V特性の温度依存性は弱く、AlO_x/GaN界面に存在する界面準位は比較的低密度であることが示唆された。また、光支援C-t測定を行い紫外光照射に対する容量値の変化を測定した結果、空乏条件でのMIS構造の紫外光応答は比較的高速で、かつ照射下のピーク容量値の温度依存性は非常に弱く、MIS構造の特徴である熱安定性が示された。 |
抄録(英) | For UV-detector application, n-GaN Metal-Insulator-Semiconductor(MIS) structure was fabricated using AlO_x, layer which was deposited on n-GaN assisted by Electron Cyclotron Resonance(ECR)-plasma. Diethyl aluminum ethoxide(DEA-E) was used as a source material for AlO_x deposition. In the AlO_x/GaN MIS structure, the experimental C-V curve was close to the calculated one, and the C-V characteristics were almost independent of temperature. These results indicated a relatively low density of states at the AlO_x/n-GaN interface. The capacitance at the depletion region showed a relatively fast response to an UV illumination. We also found that the peak value of capacitance under illumination showed less temperature dependence, indicating the operation stability of the AlO_x/n-GaN structure. |
キーワード(和) | GaN / AlGaN / Al_2O_3 / MIS / C-V / 高温 / 紫外光応答 / 紫外光センサ / 火炎センサ |
キーワード(英) | GaN / AlGaN / Al_2O_3 / MIS / C-V / high temperature / UV-response / UV-detector / Flame detector |
資料番号 | ED2007-164,CPM2007-90,LQE2007-65 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | UV-response characteristics of insulator/n-GaN MIS structures for sensor application |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | GaN / GaN |
キーワード(2)(和/英) | AlGaN / AlGaN |
キーワード(3)(和/英) | Al_2O_3 / Al_2O_3 |
キーワード(4)(和/英) | MIS / MIS |
キーワード(5)(和/英) | C-V / C-V |
キーワード(6)(和/英) | 高温 / high temperature |
キーワード(7)(和/英) | 紫外光応答 / UV-response |
キーワード(8)(和/英) | 紫外光センサ / UV-detector |
キーワード(9)(和/英) | 火炎センサ / Flame detector |
第 1 著者 氏名(和/英) | 水江 千帆子 / Chihoko Mizue |
第 1 著者 所属(和/英) | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 松山 哲也 / Tetsuya Matsuyama |
第 2 著者 所属(和/英) | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小谷 淳二 / Junji Kotani |
第 3 著者 所属(和/英) | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
第 4 著者 氏名(和/英) | ミツェーク マルチン / Marcin Miczek |
第 4 著者 所属(和/英) | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
第 5 著者 氏名(和/英) | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
第 5 著者 所属(和/英) | 北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
発表年月日 | 2007-10-11 |
資料番号 | ED2007-164,CPM2007-90,LQE2007-65 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 252 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |