| 講演名 | 2007-10-11 AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 川西 英雄, 新倉 栄一郎, |
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| 抄録(和) | AlGaN窒化物半導体は、紫外から深紫外域で発光する光デバイス実現に適合するワイドギャップ半導体である。このAlGaN半導体は、その価電子帯のバンド構造に由来して放射光が光学異方性を示し、光デバイスの動作特性に影響を与える。ここでは、これまで実現した深紫外域までのレーザ発振特性及び、我々が明らかにした実験結果をまとめ、どのような動作が制限を受けるのか、またその解決法などを議論してみたい。 |
| 抄録(英) | AlGaN wide-gap semiconductor is promising for UV to Deep-UV laser and light emitting diodes. The AlGaN has optical anisotropic properties, such as anisotropic polarization and anisotropic surface and edge emission, which originate in valence-band structure. This propertie affects to lasing mode, optical polarization of emitted light, and apparent quantum efficiency. In this report, we summarize our recent experimental results and our conclusions. |
| キーワード(和) | 深紫外半導体レーザ / 光学異方性 / 結晶場スプリットオフ価電子帯 / AlGaN / 量子井戸構造 |
| キーワード(英) | Deep-UV semiconductor laser / Optical anisotropic property / Crystal-field sprit-off hole band / AlGaN quantum well |
| 資料番号 | ED2007-163,CPM2007-89,LQE2007-64 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外発振と光学異方特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Deep-UV Lasing of AlGaN Multiple Quantum Well Lasers and Its Anisotropic Polarization Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外半導体レーザ / Deep-UV semiconductor laser |
| キーワード(2)（和/英） | 光学異方性 / Optical anisotropic property |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶場スプリットオフ価電子帯 / Crystal-field sprit-off hole band |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaN / AlGaN quantum well |
| キーワード(5)（和/英） | 量子井戸構造 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川西 英雄 / H. Kawanishi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学・工学部 Faculty of Engineering, Kohgakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新倉 栄一郎 / E. Niikura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学・工学部 Faculty of Engineering, Kohgakuin University |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-163,CPM2007-89,LQE2007-64 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |