| 講演名 | 2007-10-11 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 後藤 修, 大泉 善嗣, 庄司 美和子, 田中 隆之, 保科 幸男, 太田 誠, 矢吹 義文, 冨谷 茂隆, 池田 昌夫, |
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| 抄録(和) | 端面電流非注入構造を導入した純青色レーザを作製した。ストライプ幅12μm、共振器長1.4mm、非注入幅45μmのレーザでは、光出力が1.5Wを超えてもCODは全く見られず、熱飽和による光出力の低下が確認された。最大光出力は1.9Wであった。初期光出力0.75W、25℃の条件下で寿命試験を行ったところ、寿命は10,000時間以上であると推定された。端面電流非注入構造を導入した結果、CODの抑制に高い効果があることを確認した。 |
| 抄録(英) | High-power and long-lived AlGaInN-based pure-blue laser diodes (LDs) emitting in the 440-450 nm wavelength range were successfully developed. They had estimated lifetimes (the time for the output power to degrade to half its initial value in constant current mode) of more than 10000 hours at a power of 0.75 W under continuous-wave operation at 25℃. This paper presents the suppression of catastrophic optical damage (COD) in pure-blue LDs, which have current injection-free region near the laser facets. |
| キーワード(和) | 純青色半導体レーザ / MOCVD / GaN基板 / 端面電流非注入構造 |
| キーワード(英) | Pure-blue LD / MOCVD / GaN substrate / Current injection-free structure |
| 資料番号 | ED2007-162,CPM2007-88,LQE2007-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 端面電流非注入構造導入による純青色レーザのCOD抑制(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Suppression of COD in pure-blue laser diodes with current injection-free region near the laser facet |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 純青色半導体レーザ / Pure-blue LD |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | GaN基板 / GaN substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 端面電流非注入構造 / Current injection-free structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 修 / Osamu GOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社半導体事業本部 Semiconductor Business Group, Sony corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大泉 善嗣 / Yoshitsugu OHIZUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 庄司 美和子 / Miwako SHOJI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 隆之 / Takayuki TANAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 保科 幸男 / Yukio HOSHINA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 太田 誠 / Makoto OHTA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー白石セミコンダクタ株式会社 Sony Shiroishi Semiconductor Inc. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 矢吹 義文 / Yoshifumi YABUKI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社半導体事業本部 Semiconductor Business Group, Sony corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 冨谷 茂隆 / Shigetaka TOMIYA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社マテリアル研究所 Material Research Lab., Sony Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 池田 昌夫 / Masao IKEDA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社マテリアル研究所 Material Research Lab., Sony Corporation |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-162,CPM2007-88,LQE2007-63 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 3 |
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