| 講演名 | 2007-10-11 p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 藤川 紗千恵, 高野 隆好, 近藤 行廣, 平山 秀樹, |
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| 抄録(和) | 波長230-350nm帯の短波長紫外LEDの開発は最近多くの研究グループで始められているが、その発光効率は依然低いのが現状である。我々はInAlGaN4元混晶量子井戸を発光層に用い、In組成変調効果を用いる事により、波長230-350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回、p型層にInAlGaN層を用いたLED構造を高品質AlN/AlGaNテンプレート上に作製した。電流注入機構、AlN/AlGaNテンプレートの結晶性を改善する事で、波長346nmにおいて、室温CW光出力8.4mW、外部量子効率0.9%を実現した。 |
| 抄録(英) | 230-350nm-band high-efficiency ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) are very attractive for the application to white lighting, medical fields, etc. In this study, we realized high-power operation of quaternary InAlGaN-based UV-LEDs with p-type InAlGaN layers fabricated on high-quality AlN buffer on sapphire. We revealed that Mg-doped InAlGaN layer is superior to Mg-doped AlGaN layer for use as p-type layers of UV-LEDs. We obtained output power of 8.4mW and the external quantum efficiency (EQE) of 0.9% from 346 nm InAlGaN-based UV-LED under room temperature CW operation by optimizing electron injection into QWs and by improving the crystal quality of AlN/AlGaN template. |
| キーワード(和) | InAlGaN / 紫外LED / p-InAlGaN / AlN / MOCVD |
| キーワード(英) | quaternary InAlGaN / UV-LEDs / p-InAlGaN / AlN / MOCVD |
| 資料番号 | ED2007-161,CPM2007-87,LQE2007-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 340nm-band high-power UV-LED using p-type InAlGaN layers and high-quality AlN buffer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAlGaN / quaternary InAlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外LED / UV-LEDs |
| キーワード(3)（和/英） | p-InAlGaN / p-InAlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤川 紗千恵 / Sachie FUJIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所 RIKEN |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高野 隆好 / Takayoshi TAKANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社 Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 近藤 行廣 / Yukihiro KONDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電工株式会社 Matsushita Electric Works, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平山 秀樹 / Hideki HIRAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 独立行政法人理化学研究所 RIKEN |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-161,CPM2007-87,LQE2007-62 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |