| 講演名 | 2007-10-11 アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 万行 大貴, 小野 宏之, 小林 芳彦, 松本 功, 渋谷 和信, |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体分野に関連する技術として、有機金属気相成長(MOVPE)技術、NH_3ガス精製技術、原料中の微量不純物分析技術等の技術開発を行っている。NH_3ガス中の水分は、MOVPEによるGaN系化合物半導体の成長膜に影響を与えると言われる。本研究では、炉内雰囲気中の水分がInGaN/GaN量子井戸層に取り込まれ、LED(light-emitting diode)のEL発光強度を大きく低下させることを明らかにした。また、NH_3ガス供給技術の観点から、原料NH_3ガス中に含まれる水分濃度が変動した場合でも、NH_3ガス精製装置を使用することによって、常に安定した純度のNH_3ガス供給が可能であることを、EL発光強度、SIMS分析およびNH_3ガス中の水分濃度をCRDS方式の測定によるOn-Site分析により実証した。 |
| 抄録(英) | We have been developing nitride-semiconductor-related technologies, such as Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE), NH_3 gas purification and trace moisture analysis techniques in NH_3 gas. The moisture in NH_3 gas is likely to have an influence on the film growth of the GaN by MOVPE. In this research, electroluminescence (EL) intensity of LED was shown to be decreased by the incorporation of moisture in the rector atmosphere into InGaN/GaN quantum well layers. We have also demonstrated that NH_3 gas purifier can effectively eliminate a trace of moisture, so that a high and constant purity NH_3 gas is continuously supplied to the reactor, which is confirmed by on-site measurement of trace moisture by CRDS, and also by ex-situ characterization, by EL and SIMS measurement. |
| キーワード(和) | MOCVD / InGaN/GaN多重量子井戸構造 / 精製装置 / NH_3ガス |
| キーワード(英) | MOCVD / InGaN/GaN multi quantum well structure / purifier / NH_3gas |
| 資料番号 | ED2007-160,CPM2007-86,LQE2007-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 : MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of trace moisture in NH_3 gas on electroluminescence intensity of InGaN LED : Moisture control in NH_3 gas for MOVPE growth of LED structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | InGaN/GaN多重量子井戸構造 / InGaN/GaN multi quantum well structure |
| キーワード(3)（和/英） | 精製装置 / purifier |
| キーワード(4)（和/英） | NH_3ガス / NH_3gas |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 万行 大貴 / Hirotaka MANGYOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部 Leading Edge Technology Development Department, Business Strategy Planning Division, Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小野 宏之 / Hiroyuki ONO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社開発・エンジニアリング本部つくば研究所分析技術センター Specialty gas analysis division Analysis technology center Tsukuba Laboratories Development & Engineering, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 芳彦 / Yoshihiko KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部 Leading Edge Technology Development Department, Business Strategy Planning Division, Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松本 功 / Koh MATSUMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部 Leading Edge Technology Development Department, Business Strategy Planning Division, Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渋谷 和信 / Kazunobu SHIBUYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社電子機材事業本部事業戦略推進部先端技術開発部 Leading Edge Technology Development Department, Business Strategy Planning Division, Electronics Group, TAIYO NIPPON SANSO Corporation |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-160,CPM2007-86,LQE2007-61 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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