| 講演名 | 2007-10-11 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 福島 康之, 高瀬 裕志, 薄田 学, 折田 賢児, 上田 哲三, 田中 毅, |
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| 抄録(和) | 紫外発光ダイオード(LED)は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現できるSi基板上への高輝度紫外LEDの動作を確認した結果について報告する。従来のAlGaN三元活性層ではSi基板上に生ずる結晶欠陥が非発光再結合中心として働くため高輝度化が困難であったが、活性層にIn添加したInAlGaN四元活性層を用いることで局在励起子を利用した高輝度発光を実現した。得られたInAlGaN量子井戸活性層は350nm前後で発光し、内部量子効率は15%とこれまでにSiC基板上で得られた値と遜色ない値が得られた。 |
| 抄録(英) | Ultraviolet Light Emitting Diodes (UV-LEDs) are promising for various applications such as photocatalyst or excitation source for white LEDs. In this paper, we report on high-brightness UV-LEDs on Si substrate aiming at the low cost fabrication. InAlGaN quaternary alloy with high In content is used in the active layer in which localized excitons screen the effect of the non-radiative recombination center caused by the dislocations. The InAlGaN multi-quantum-well active layers exhibit very high internal quantum efficiency of 15% at around 350nm which is as comparable high as that on SiC for the UV-emission. |
| キーワード(和) | 紫外発光ダイオード / シリコン基板 / 窒化物半導体 / InAlGaN四元混晶 |
| キーワード(英) | Ultraviolet Light Emitting Diodes / Si substrate / III-V Nitride / InAlGaN quaternary alloy |
| 資料番号 | ED2007-159,CPM2007-85,LQE2007-60 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency Ultraviolet LEDs on Si Using InAlGaN Multi-Quantum-Wells with High Indium Contents |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 紫外発光ダイオード / Ultraviolet Light Emitting Diodes |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 窒化物半導体 / III-V Nitride |
| キーワード(4)（和/英） | InAlGaN四元混晶 / InAlGaN quaternary alloy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福島 康之 / Yasuyuki FUKUSHIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高瀬 裕志 / Yuji TAKASE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 薄田 学 / Manabu USUDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 折田 賢児 / Kenji ORITA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上田 哲三 / Tetsuzo UEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tsuyoshi TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-159,CPM2007-85,LQE2007-60 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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