| 講演名 | 2007-10-11 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 金田 昭男, 金井 聡庸, 船戸 充, 川上 養一, 菊池 昭彦, 岸野 克己, |
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| 抄録(和) | c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させることで、単一InGaN/GaNナノコラムの顕微発光測定、顕微時間分解発光測定を行った。その結果、10本程度の線幅の狭い発光スペクトルを観測した。また、励起光強度を2桁上昇させても、発光ピーク位置は変化しなかった。さらに発光再結合寿命は、c面InGaN量子井戸に比べ2桁以上も早い値を持つことが分かった。以上のことから、InGaN/GaNナノコラムにおいては、内部電界の影響が少なく、さらにナノコラム内に微小な局在発光中心が形成されていることが分かった。 |
| 抄録(英) | The micro photoluminescence (PL) and micro time-resolved PL spectroscopy have been performed on a single InGaN/GaN nanocolumn structure grown by nitrogen plasma assisted molecular beam epitaxy. The PL spectra of single InGaN/GaN nanocolumn consist of about tens sharp emission peaks, which position does not change even if the photo-excitation carrier density increases, unlike the conventional c-plane InGaN/GaN quantum well structures (QWs). Moreover, the PL lifetime of InGaN/GaN nanocolumn is two orders of magnitude faster than that taken at the same wavelength in conventional InGaN/GaN QWs. These results suggest that the piezoelectric polarization field is suppressed in InGaN/GaN nanocolumn, and the small localized centers are formed in InGaN/GaN nanocolumn. |
| キーワード(和) | InGaN/GaNナノコラム / 線幅の狭い発光スペクトル / 発光再結合寿命 / 内部電界 / 局在発光中心 |
| キーワード(英) | InGaN/GaN nanocolumn / sharp emission peak / PL lifetime / piezoelectric polarization field / localized centers |
| 資料番号 | ED2007-157,CPM2007-83,LQE2007-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Micro photoluminescence spectroscopy of single InGaN/GaN nanocolumn |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN/GaNナノコラム / InGaN/GaN nanocolumn |
| キーワード(2)（和/英） | 線幅の狭い発光スペクトル / sharp emission peak |
| キーワード(3)（和/英） | 発光再結合寿命 / PL lifetime |
| キーワード(4)（和/英） | 内部電界 / piezoelectric polarization field |
| キーワード(5)（和/英） | 局在発光中心 / localized centers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金田 昭男 / Akio KANETA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻:CREST, 独立行政法人科学技術振興機構 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Kyoto University:CREST, JST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金井 聡庸 / Akinobu KANAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru FUNATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻:CREST, 独立行政法人科学技術振興機構 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Kyoto University:CREST, JST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi KAWAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻:CREST, 独立行政法人科学技術振興機構 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura Campus, Kyoto University:CREST, JST |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko KIKUCHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科:CREST, 独立行政法人科学技術振興機構 Department of Electrical and Electoronics Engineering, Sophia University:CREST, JST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岸野 克己 / Katsumi KISHINO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部電気電子工学科:CREST, 独立行政法人科学技術振興機構 Department of Electrical and Electoronics Engineering, Sophia University:CREST, JST |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-157,CPM2007-83,LQE2007-58 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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