| 講演名 | 2007-10-11 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) 山口 敦史, |
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| 抄録(和) | 任意面方位の窒化物量子井戸の偏光特性について理論計算を行った。(In)GaN量子井戸においては、基板面方位に応じて面内光学異方性が現れるが、この異方性の向きは圧縮歪みによる効果と量子井戸による効果の競合で決まっていることがわかった。さらに、非C面GaN基板上InGaN量子井戸のように基板面内に歪み異方性が導入される場合には、その異方性が光学的異方性に大きな影響を与えることもわかった。一方、C面上の高Al組成AlGaN膜ではc軸偏光が主となり膜表面からの発光強度が非常に小さいことが知られているが、量子井戸や圧縮歪みの導入により、偏光特性が逆転し、表面からの発光強度を飛躍的に増大できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Polarization properties in III-nitride quantum wells with various substrate orientations have been investigated theoretically. It is found that in-plane optical anisotropy appears in non C-plane surfaces, and that its direction is determined by the competition of quantum confinement effect and strain effect. It is also shown that the optical anisotropy is very sensitive to in-plane strain anisotropy. Meanwhile, it is known that AlGaN films with high Al composition mainly emit the light polarized in the c-direction and this causes low emission efficiency in the c-face based devices. It is predicted, in this study, that this unfavorable polarization can be switched into favorable in-plane polarization by decreasing quantum well width and/or introducing in-plane compressive strain. |
| キーワード(和) | 光学的異方性 / GaN / AlGaN / 価電子帯 / 歪み / 理論計算 |
| キーワード(英) | optical anisotropy / GaN / AlGaN / valence band / strain / calculation |
| 資料番号 | ED2007-156,CPM2007-82,LQE2007-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/10/4(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization Properties in III-nitride Quantum Wells with Various Substrate Orientations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光学的異方性 / optical anisotropy |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | 価電子帯 / valence band |
| キーワード(5)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(6)（和/英） | 理論計算 / calculation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / A. Atsushi YAMAGUCHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学ものづくり研究所 Research Laboratory for Integrated Technological Systems, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2007-10-11 |
| 資料番号 | ED2007-156,CPM2007-82,LQE2007-57 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |