| 講演名 | 2007-10-31 SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 村上 貴洋, 安藤 慎, 貞近 倫夫, 吉田 隆樹, 三浦 道子, |
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| 抄録(和) | SOI-MOSFETは低消費電力で高速処理に優れたトランジスタであると考えられている.しかしSOI-MOSFETのコンパクトモデルは未だ研究段階にある.その主な理由は,回路設計に耐えられる基板浮遊効果モデルが未だにないからである,我々はこれまで完全表面ポテンシャルモデルHiSIM-SOIを開発してきた.それは,ゲート酸化膜FOXに接した表面ポテンシャルだけでなく埋め込み酸化膜BOXの両面のポテンシヤルをも同時に解くことで,高精度にデバイス特性を再現する.本研究では基板浮遊効果モデルによるHiSIM-SOIの拡張を行った.その基板浮遊効果モデルは,ソース端近傍に蓄積する電荷をボアソン方程式上で考慮したものである.それにより回路に関わる基板浮遊効果について調べた. |
| 抄録(英) | Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET are considered to be suitable for high performance circuits as well as low power applications. However, compact models for SOI-MOSFETs are still under development mainly because of a lack of the floating-body effect model providing accurate at the same time stable circuit simulation. We have developed the circuit simulation model HiSIM-SOI based on the complete surface-potential description, solving not only the surface potential at the front-gate oxide (FOX) but also two surfaces at both sides of the buried oxide (BOX) isolation. The model is extended to include the floating-body effect, which is done by considering stored charge at the source side in the Poisson equation after its origin. With the model we investigate the floating-body effect on circuit performances. |
| キーワード(和) | 基板浮遊効果 / SOI-MOSFET / 完全空乏 / 疑似部分空乏状態 / 衝突電離 |
| キーワード(英) | floating-body effect / SOI-MOSFET / fully depleted / quasi partially depleted condition / impact ionization |
| 資料番号 | VLD2007-68,SDM2007-212 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2007/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Floating-Body Effect in S0I-MOSFET with Complete Surface-Potential Description |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板浮遊効果 / floating-body effect |
| キーワード(2)（和/英） | SOI-MOSFET / SOI-MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | 完全空乏 / fully depleted |
| キーワード(4)（和/英） | 疑似部分空乏状態 / quasi partially depleted condition |
| キーワード(5)（和/英） | 衝突電離 / impact ionization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村上 貴洋 / Takahiro MURAKAMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学HiSIM研究センター HiSIM Research Center, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 慎 / Makoto ANDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 貞近 倫夫 / Norio SADACHIKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 隆樹 / Takaki Yoshida |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社NEC情報システムズ NEC Information Systems |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三浦 道子 / Mitiko Miura(Mattausch) |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学HiSIM研究センター:広島大学先端物質科学研究科 HiSIM Research Center, Hiroshima University:Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2007-10-31 |
| 資料番号 | VLD2007-68,SDM2007-212 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 296 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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