| 講演名 | 2007-10-31 MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 安西 邦夫, 津野 仁志, 松村 正雄, 南 里江, 樋浦 洋平, 竹尾 明, 傅 穎詩, 福崎 勇三, 菅野 道博, 長島 直樹, 安斎 久浩, |
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| 抄録(和) | 近年、LSIの歩留まり低下・設計マージンの増大の要因の一つとしてMOSFETのレイアウトに依存した特性変動が挙げられる。本発表では、TCAD SimulationおよびTEG実測結果を用いて、MOSFETのレイアウトに依存した特性変動(オン電流、閾値電圧)について応力、Active Area面積の観点から行った考察結果について報告する。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | MOSFETレイアウト依存性 / システマティックバラつき / DFM |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | VLD2007-66,SDM2007-210 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2007/10/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Analysis of MOSFET Characteristic Fluctuation Caused by Layout |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFETレイアウト依存性 |
| キーワード(2)（和/英） | システマティックバラつき |
| キーワード(3)（和/英） | DFM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安西 邦夫 |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 津野 仁志 |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松村 正雄 |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 南 里江 |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 樋浦 洋平 |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹尾 明 |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 傅 穎詩 |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 福崎 勇三 |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 菅野 道博 |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 長島 直樹 |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 安斎 久浩 |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
| 発表年月日 | 2007-10-31 |
| 資料番号 | VLD2007-66,SDM2007-210 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 296 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |