講演名 | 2007-10-31 MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 安西 邦夫, 津野 仁志, 松村 正雄, 南 里江, 樋浦 洋平, 竹尾 明, 傅 穎詩, 福崎 勇三, 菅野 道博, 長島 直樹, 安斎 久浩, |
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抄録(和) | 近年、LSIの歩留まり低下・設計マージンの増大の要因の一つとしてMOSFETのレイアウトに依存した特性変動が挙げられる。本発表では、TCAD SimulationおよびTEG実測結果を用いて、MOSFETのレイアウトに依存した特性変動(オン電流、閾値電圧)について応力、Active Area面積の観点から行った考察結果について報告する。 |
抄録(英) | |
キーワード(和) | MOSFETレイアウト依存性 / システマティックバラつき / DFM |
キーワード(英) | |
資料番号 | VLD2007-66,SDM2007-210 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2007/10/24(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOSFETレイアウトによるトランジスタ特性変動の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | The Analysis of MOSFET Characteristic Fluctuation Caused by Layout |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MOSFETレイアウト依存性 |
キーワード(2)(和/英) | システマティックバラつき |
キーワード(3)(和/英) | DFM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 安西 邦夫 |
第 1 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 2 著者 氏名(和/英) | 津野 仁志 |
第 2 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 3 著者 氏名(和/英) | 松村 正雄 |
第 3 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 4 著者 氏名(和/英) | 南 里江 |
第 4 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 5 著者 氏名(和/英) | 樋浦 洋平 |
第 5 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 6 著者 氏名(和/英) | 竹尾 明 |
第 6 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 7 著者 氏名(和/英) | 傅 穎詩 |
第 7 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 8 著者 氏名(和/英) | 福崎 勇三 |
第 8 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 9 著者 氏名(和/英) | 菅野 道博 |
第 9 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 10 著者 氏名(和/英) | 長島 直樹 |
第 10 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
第 11 著者 氏名(和/英) | 安斎 久浩 |
第 11 著者 所属(和/英) | ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門 |
発表年月日 | 2007-10-31 |
資料番号 | VLD2007-66,SDM2007-210 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 296 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |