| 講演名 | 2007-10-31 インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 田辺 亮, 芦澤 芳夫, 岡 秀樹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 回路におけるトランジスタ特性ばらつきに加え,配線等の容量,抵抗ばらつき,ゲートリーク,接合リーク等のばらつきなども今後性能に与えるインパクトが大きくなると考えられる.本報告では,しきい値電圧と,ゲート容量,接合容量といった容量に関するばらつきの検討を行い,それぞれが与える影響について議論を行う.はじめに,ばらつき要因のモデリングとして,Monte Carloイオン注入による不純物ばらつきと,フーリエ変換を用いたLER生成の概略を説明する.次に,それらを適用した計算結果にもとついて,インバータの遅延時間バラつき,SRAMアクセス時間ばらつきについて考察を行う. |
| 抄録(英) | In addition to fluctuation of current characteristics, fluctuations of wire capacitance, resistance and leakage current will affect the performance of circuits. In this report, we will analyze fluctuations of threshold voltage, gate capacitance and junction capacitance, and discuss its effects to delay. First, we will introduce two modeling of the major fluctuation sources. One is impurity fluctuation by Monte Carlo ion implantation and the other is the mathematical generation of LER with Fourier transform. Then, we will apply these modeling to the calculations of inverter delay and SRAM access time fluctuations. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Inverter / SRAM / Random Dopant Fluctuation / Monte Carlo Implantation / TCAD / Delay / Access Time / Scaling |
| 資料番号 | VLD2007-65,SDM2007-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/10/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | インバータ,SRAM回路におけるばらつき要因が回路特性に与える影響の分析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Inverter and SRAM circuits characteristics fluctuation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Inverter |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田辺 亮 / Ryo Tanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芦澤 芳夫 / Yoshio Ashizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡 秀樹 / Hideki Oka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2007-10-31 |
| 資料番号 | VLD2007-65,SDM2007-209 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 296 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |