講演名 | 2007-10-05 マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術) 廣江 昭彦, 寺本 章伸, 大見 忠弘, |
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抄録(和) | マイクロ波(2.45GHz)励起プラズマCVDを用いて、微結晶シリコンのデポを行った。デポ条件を変えて成膜を行い、(220)優先配向の膜と(111)優先配向の膜との比較を行ったところ、(220)優先配向の膜は断面形状が緻密で、ESR(Electron Spin Resonance)によるdangling bondの密度も低い事が分かった。この(220)優先配向の膜を用いてTFTの試作を行ったところ、W/L=20/4μmのbottom gate TFTにおいて、水泰プラズマ処理後、移動度1.4cm^2/Vsec、on/off比が5桁以上という特性を得ることに成功した。 |
抄録(英) | μc-Si has been deposited by microwave (2.45GHz) plasma CVD. (220) preferentially oriented film and (111) preferentially oriented film has been deposited and compared. (220) preferentially oriented film shows continuous cross sectional morphology, and has less dangling bond density compared with (111) preferentially oriented film. Bottom gate TFT has been fabricated with (220) preferentially oriented μc-Si. Mobility of about 1.4cm^2/Vsec and on/off ratio of more than 10^5 has been achieved for W/L=20/4μm bottom gate transistor after hydrogen plasma treatment. |
キーワード(和) | マイクロ波 / プラズマCVD / 微結晶シリコン / TFT |
キーワード(英) | Microwave / Plasma CVD / μc-Si / TFT |
資料番号 | SDM2007-186 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2007/9/27(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | マイクロ波CVDを用いた高移動度ボトムゲート微結晶シリコンTFTの試作(プロセス科学と新プロセス技術) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High Mobility Bottom Gate μc-Si TFT Fabricated by Microwave Plasma CVD |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | マイクロ波 / Microwave |
キーワード(2)(和/英) | プラズマCVD / Plasma CVD |
キーワード(3)(和/英) | 微結晶シリコン / μc-Si |
キーワード(4)(和/英) | TFT / TFT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 廣江 昭彦 / Akihiko HIROE |
第 1 著者 所属(和/英) | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 寺本 章伸 / Akinobu TERAMOTO |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大見 忠弘 / Tadahiro OHMI |
第 3 著者 所属(和/英) | 東北大学未来科学技術共同研究センター未来情報産業創製研究部門 Ohmi Lab. New Industry Creation Hatchery Center (NICHe) Tohoku University |
発表年月日 | 2007-10-05 |
資料番号 | SDM2007-186 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 245 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |