| 講演名 | 2007-10-04 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術) 黒木 伸一郎, 小谷 光司, 伊藤 隆司, |
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| 抄録(和) | ペロブスカイト酸化物誘電体薄膜における歪印加効果について報告する。ペロブスカイト高誘電率薄膜において、不純物添加起因の歪みによる誘電特性変化が報告されている。本研究では、ペロブスカイト高誘電率薄膜の誘電特性の歪み依存性を調べるために、MOCVD成膜SrTiO_3薄膜を用いたMIMキャパシタに機械的一軸性歪を印加・誘電特性を測定し、引張応力印加による誘電率増大を実験的に示した。またこの結果を微視的誘電体モデルに対応させ、歪印加によりイオン振動の減衰係数が低減していることを理論的に示した。 |
| 抄録(英) | The effect of tensile strain on SrTiO_3 high-k insulator was discussed. The tensile strain on SrTiO_3 thin films increased dielectric constant, and as a frequency became higher, the increment of dielectric constant increased. The mechanism of the tensile strain-induced capacitance increase was also discussed. The tensile strain reduced a damping of titanium-oxygen oscillator in SrTiO_3 film, and titanium-oxygen dipole moment was increased. |
| キーワード(和) | ペロブスカイト高誘電率薄膜 / SrTiO_3 / 引張り歪み |
| キーワード(英) | Perovskite high-k dielectric film / SrTiO_3 / Tensile strain |
| 資料番号 | SDM2007-179 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/9/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 機械的歪み印加によるSrTiO_3MIMキャパシタ誘電率変調(プロセス科学と新プロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modulation of Dielectric Constant on Mechanically Strained SrTiO_3 MIM Capacitor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペロブスカイト高誘電率薄膜 / Perovskite high-k dielectric film |
| キーワード(2)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(3)（和/英） | 引張り歪み / Tensile strain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小谷 光司 / Koji Kotani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2007-10-04 |
| 資料番号 | SDM2007-179 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 245 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | |