講演名 2007-09-21
熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
河野 昭彦, 生地 文也,
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抄録(和) 熱電子励起プラズマスパッタ法で作製した非加熱ガラス基板上および加熱(260℃)ガラス基板上のITO膜の電気特性を膜厚の関数として調べた.加熱基板上において,2.1×10^<21>cm^3の高いキャリア密度による9.7×10^<-5>Ωcmの低比抵抗ITO膜が得られた.多くの酸素空孔を含む結晶性の初期成長層が,厚膜における効果的な酸素空孔形成と,それによる高いキャリア密度をもたらし,結果として低比抵抗ITO膜成長を導くテンプレートとして振舞うことがわかった.
抄録(英) Tin-doped indium oxide (ITO) films fabricated on glass substrates using a hot-cathode plasma sputtering method exhibited low resistivity of 9.7×10^<-5>Ωcm, which is due to a high carrier density of 2.1×10^<21>cm^<-3>. The change in the number of carriers, N, as a function of film thickness d, strongly suggests that oxygen extraction in the initial stages of ITO film growth on the glass substrate surface, creates oxygen vacancies as an electron carrier source for improvement in the resistivity of the films.
キーワード(和) 低比抵抗ITO膜 / 酸素空孔 / 熱電子励起プラズマスパッタ法
キーワード(英) Low-resistivity ITO films / Oxygen vacancies / Hot-cathode plasma sputtering method
資料番号 ED2007-148,OME2007-35
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2007/9/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 熱電子励起プラズマスパッタ法による低比抵抗ITO膜形成とそのメカニズム(センサデバイス・MEMS・一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) The growth mechanism of low-resistivity ITO films on the glass substrates by a hot-cathode plasma sputtering method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 低比抵抗ITO膜 / Low-resistivity ITO films
キーワード(2)(和/英) 酸素空孔 / Oxygen vacancies
キーワード(3)(和/英) 熱電子励起プラズマスパッタ法 / Hot-cathode plasma sputtering method
第 1 著者 氏名(和/英) 河野 昭彦 / Akihiko KONO
第 1 著者 所属(和/英) 九州共立大学工学部
Faculty of Engineering, Kyushu Kyoritsu University
第 2 著者 氏名(和/英) 生地 文也 / Fumiya SHOJI
第 2 著者 所属(和/英) 九州共立大学工学部
Faculty of Engineering, Kyushu Kyoritsu University
発表年月日 2007-09-21
資料番号 ED2007-148,OME2007-35
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 228
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日