| 講演名 | 2007-08-03 GaAsFETを用いた反射型増幅器の雑音特性の検討(マイクロ波関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般) 水野 秀樹, |
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| 抄録(和) | マイクロ波帯低雑音増幅器では通常トランジスタ等を用い,二端子対回路型増幅器として構成することが多いが,単位増幅器あたりの利得が見込めない超高周波帯では,帰還回路を設けて負性抵抗を生じさせ反射型増幅器を構成する場合がある.しかし,反射型増幅器を構成した場合,帰還回路の影響により雑音も増加するのではないかとの懸念があった.本報告では,GaAsFET増幅器の雑音特性について,二端子対回路型,直列/並列帰還反射型増幅器の雑音解析回路モデルを明らかにし,両者に雑音特性の差異の無いことを明らかにする. |
| 抄録(英) | Microwave amplifiers use GaAsFET as a two port type amplifier, but in the case of increasing amplifier gain, GaAsFET is often used as a reflection type amplifier. In such a case, there is a problem that the feedback circuit may degrade the noise performance of the amplifier.In this paper, noise performance of a two port type amplifier and a reflection type amplifier are studied and it is clarified that there is no deference between these two types. |
| キーワード(和) | 低雑音増幅器 / 雑音特性 / 反射型増幅器 / GaAsFET |
| キーワード(英) | Low noise amplifier / noise performance / reflection type amplifier / GaAsFET |
| 資料番号 | MW2007-72,OPE2007-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2007/7/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAsFETを用いた反射型増幅器の雑音特性の検討(マイクロ波関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Analysis on Noise Performance of A Reflection Type One-Port GaAsFET Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低雑音増幅器 / Low noise amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 雑音特性 / noise performance |
| キーワード(3)（和/英） | 反射型増幅器 / reflection type amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | GaAsFET / GaAsFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 秀樹 / Hideki MIZUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東海大学開発工学部 Department of Information and Communication Technology, Tokai University |
| 発表年月日 | 2007-08-03 |
| 資料番号 | MW2007-72,OPE2007-59 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 173 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |