講演名 2007-08-03
バイアス回路とエミッタインダクタの偶奇モードインピーダンス差を利用した低歪み、低雑音増幅器(マイクロ波関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
中谷 俊文, 小川 晃一,
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抄録(和) バイアス回路およびエミッタインダクタの偶奇インピーダンス差を用いた低歪み、低雑音増幅器を提案した。まずRF増幅器の等価回路モデルを用いて、差周波におけるバイアス回路の抵抗値および2倍高調波のエミッタインダクタンス値を小さくしたときに出力IP3が改善することを説明した。その実現のためにキャリア周波数信号に相当する奇モードの抵抗値は高く、差周波信号に相当する偶モードの抵抗値の低いバイアス回路を提案した。さらにエミッタのボンディングワイア長を変化させることにより、差動インダクタの偶モードインダクタンス値を調整できることを見出し、エミッタインダクタの偶奇モードインピーダンスの差を積極的に利用することによって一層の低歪み化が可能であることを示した。これらの回路設計は電力利得、雑音指数にほとんど影響を与えない。0.18μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて2GHz帯の提案差動増幅器を試作し、電力利得>18dB、雑音指数<1.7dBの場合に従来回路と比較して出力IP3が3.8dB改善することを示した。
抄録(英) A low distortion and low noise amplifier has been proposed using even and odd-mode impedance differences of bias circuit and emitter inductor. By using the equivalent circuit of an RF amplifier, we explain that the output IP3 of an amplifier can be improved when the output resistance of a bias circuit is low at 2-tone difference frequency and the inductance of an emitter inductor is small. In order to realize the condition, we propose the bias circuit with the high odd-mode impedance for carrier signals and with the low even-mode impedance for 2-tone difference frequency signals. Furthermore we find that the even-mode inductance of a differential inductor can be adjusted designing the length of an emitter bonding wire. Lower distortion of an amplifier can be achieved using even and odd-mode impedance difference of an emitter inductor. These parameters give no impact to the power gain and noise figure characteristics. 2GHz proposed differential amplifiers were fabricated using 0.18μm SiGe BiCMOS technology. 3.8 dB output IP3 improvement of the proposed amplifier was obtained compared with the conventional one at > 18 dB power gain and < 1.7 dB noise figure.
キーワード(和) 3次相互変調歪み / 差動増幅器 / 偶奇モードインピーダンス / バイアス回路 / エミッタインダクタ / 電力利得 / 雑音指数
キーワード(英) 3rd-order inter-modulation / differential amplifier / even/odd mode impedance / bias circuit / emitter inductor / power gain / noise figure
資料番号 MW2007-71,OPE2007-58
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2007/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) バイアス回路とエミッタインダクタの偶奇モードインピーダンス差を利用した低歪み、低雑音増幅器(マイクロ波関連技術,光・電波ワークショップ,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A low distortion and low noise amplifier using even and odd-mode impedance differences of bias circuit and emitter inductor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 3次相互変調歪み / 3rd-order inter-modulation
キーワード(2)(和/英) 差動増幅器 / differential amplifier
キーワード(3)(和/英) 偶奇モードインピーダンス / even/odd mode impedance
キーワード(4)(和/英) バイアス回路 / bias circuit
キーワード(5)(和/英) エミッタインダクタ / emitter inductor
キーワード(6)(和/英) 電力利得 / power gain
キーワード(7)(和/英) 雑音指数 / noise figure
第 1 著者 氏名(和/英) 中谷 俊文 / Toshifumi NAKATANI
第 1 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社ネットワーク開発センター
Network Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 小川 晃一 / Koichi OGAWA
第 2 著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社ネットワーク開発センター
Network Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
発表年月日 2007-08-03
資料番号 MW2007-71,OPE2007-58
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 173
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日