| 講演名 | 2007-08-23 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)) 福岡 一樹, 小澤 治, 森 涼, 五十嵐 康人, 佐々木 敏夫, 倉石 孝, 安 義彦, 石橋 孝一郎, |
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| 抄録(和) | 厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する.本手法はPVT変動による突入電流,復帰時間のばらつきを抑制することにより,突入電流を増加させることなく電源遮断からの高速復帰を可能とする。高速復帰は電源遮断の頻度を高め,モバイルプロセッサのリーク電流削減に貢献する.アプリケーションCPU領域の復帰時間は1.92μsを達成し,その結果96.6%のリーク電流削減を可能とした.突入電流の実測結果は提案手法が精度よく突入電流を制御できることを示した. |
| 抄録(英) | A technique for controlling rush current and wake-up time of thick-gate-oxide power switches is described. Suppressing the variation of rush current on PVT allows shorter wake-up times, which can reduce leakage currents in a mobile processor. Wake-up takes 1.92μs and leakage current is reduced by 96.9% in an application CPU domain. Probing the rush current indicated accurate control by the technique. |
| キーワード(和) | 厚膜MOS電源スイッチ / 高速復帰 / リーク電流低減 / 突入電流 / PVT変動 |
| キーワード(英) | thick-gate-oxide power switch / fast wake-up / leakage current reduction / rush current / PVT variation |
| 資料番号 | SDM2007-153,ICD2007-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2007/8/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 1.92μs-wake-up time thick-gate-oxide power switch technique for ultra low-power single-chip mobile processors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 厚膜MOS電源スイッチ / thick-gate-oxide power switch |
| キーワード(2)（和/英） | 高速復帰 / fast wake-up |
| キーワード(3)（和/英） | リーク電流低減 / leakage current reduction |
| キーワード(4)（和/英） | 突入電流 / rush current |
| キーワード(5)（和/英） | PVT変動 / PVT variation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福岡 一樹 / Kazuki FUKUOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小澤 治 / Osamu OZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 涼 / Ryo MORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 康人 / Yasuto IGARASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 敏夫 / Toshio SASAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 倉石 孝 / Takashi KURAISHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安 義彦 / Yoshihiko YASU |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 石橋 孝一郎 / Koichiro ISHIBASHI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2007-08-23 |
| 資料番号 | SDM2007-153,ICD2007-81 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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