講演名 2007-08-24
高密度CWDM用モノリシック多波長VCSELの試作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
鈴木 貞一, 長尾 太介, 若園 芳嗣, 鈴木 敦, 石川 隆朗, 増田 宏, 橋本 陽一, 菊地 克弥, 田村 充章, 仲川 博, 青柳 昌宏, 三川 孝,
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抄録(和) 高密度光実装を目指し、左右で発振波長の異なるVCSELをGaAs基板上にモノリシックに作製した。発振波長はVCSELの位相調整層の厚さを変えて変化させた。左右ともシングルモードLP_<01>で発振し、発振波長は862nmと848nmであった。2つのVCSEL中心間の間隔は29μmでありマルチモード光ファイバへ光学系を用いずに同時に2波長を導入できる。そのため、超高速でフォームファクターの小さい低コストな光モジュールが実現可能になる。
抄録(英) Two kinds of VCSELs with different wavelengths were monolithically fabricated on GaAs substrates for CWDM applications and high-density packaging. The oscillation wavelength was changed by varying the thickness of the dielectric layer placed in the cavity of the VCSELs. The both VCSELs fabricated in this work showed the single oscillation mode of LP_<01> and the oscillation wavelengths of 862nm and 848nm. The distance between centers of the VCSELs was 29μm and we could at a time guide the two beams from the VCSELs into multimode fibers or waveguides without optical elements like lenses. The optical modules equipped the VCSELs can offer high bit rates, small form factor and low cost.
キーワード(和) VCSEL / 多波長 / CWDM / モノリシック / 光モジュール / 高密度実装
キーワード(英) VCSEL / multiwavelength / CWDM / monolithic / optical module / high-density packaging
資料番号 EMD2007-48,CPM2007-69,OPE2007-86,LQE2007-49
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2007/8/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高密度CWDM用モノリシック多波長VCSELの試作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) The Fabrication of Multi Wavelength CWDM Monolithic VCSELs for High Density Packaging
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) VCSEL / VCSEL
キーワード(2)(和/英) 多波長 / multiwavelength
キーワード(3)(和/英) CWDM / CWDM
キーワード(4)(和/英) モノリシック / monolithic
キーワード(5)(和/英) 光モジュール / optical module
キーワード(6)(和/英) 高密度実装 / high-density packaging
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 貞一 / Tei-ichi Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 長尾 太介 / Daisuke Nagao
第 2 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 若園 芳嗣 / Yoshitsugu Wakazono
第 3 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 鈴木 敦 / Atsushi Suzuki
第 4 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 石川 隆朗 / Takaaki Ishikawa
第 5 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 増田 宏 / Hiroshi Masuda
第 6 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 7 著者 氏名(和/英) 橋本 陽一 / Yoichi Hashimoto
第 7 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 8 著者 氏名(和/英) 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi
第 8 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 9 著者 氏名(和/英) 田村 充章 / Mitsuaki Tamura
第 9 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 10 著者 氏名(和/英) 仲川 博 / Hiroshi Nakagawa
第 10 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 11 著者 氏名(和/英) 青柳 昌宏 / Masahiro Aoyagi
第 11 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
第 12 著者 氏名(和/英) 三川 孝 / Takashi Mikawa
第 12 著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
発表年月日 2007-08-24
資料番号 EMD2007-48,CPM2007-69,OPE2007-86,LQE2007-49
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 197
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
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