講演名 2007-08-09
基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
梅津 岳, 中田 悠介, 清水 英彦, 丸山 武男, 岩野 春男, 星 陽一,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 本研究では,高エネルギー粒子を抑制できるRF-DC結合形スパッタ法に,基板バイアススパッタ法を組み合わせる方法を用いて,低温でITO膜を結晶化させる方法の検討するために,この方法における酸素分圧の効果について検討を行った。その結果,基板にバイアス電圧を印加しても,膜作製時の到達最高基板温度は50℃程度であった。また,基板にバイアス電圧を印加することにより,どの酸素分圧においても,小さいながら,In_2O_3結晶からの回折ピークが観測することができた。しかし,低抵抗率のITO膜を得ることができなかった。酸素反応性ガスを導入することで,可視光領域において約80%以上の透過率が得られた。
抄録(英) In order to examine deposition method to crystallize an ITO film at low temperature, deposition of ITO thin films was attempted by the combination of RF-DC coupled magnetron sputtering method and bias sputtering method. As a result, ITO films deposited by this method obtained at temperature below 50℃. The diffraction peak of the In_2O_3 crystal was observed from the films deposited by this method, but those diffraction peaks were very small. Low resistivity was not obtained from the films deposited by this method. All of the films deposited by this method had transmittance above 80% in the visible range.
キーワード(和) ITO薄膜 / RF-DC結合形スパッタ法 / 基板バイアススパッタ法 / 低温
キーワード(英) ITO thin film / RF-DC coupled magnetron sputtering method / substrate bias sputtering / low temperature
資料番号 CPM2007-42
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2007/8/2(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Examination of ITO Thin Films Deposited by Substrate Bias Sputtering (II)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ITO薄膜 / ITO thin film
キーワード(2)(和/英) RF-DC結合形スパッタ法 / RF-DC coupled magnetron sputtering method
キーワード(3)(和/英) 基板バイアススパッタ法 / substrate bias sputtering
キーワード(4)(和/英) 低温 / low temperature
第 1 著者 氏名(和/英) 梅津 岳 / Takeshi UMETSU
第 1 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 2 著者 氏名(和/英) 中田 悠介 / Yuusuke NAKATA
第 2 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 3 著者 氏名(和/英) 清水 英彦 / Hidehiko SHIMIZU
第 3 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 4 著者 氏名(和/英) 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA
第 4 著者 所属(和/英) 新潟大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Science and Technology, Niigata University
第 5 著者 氏名(和/英) 岩野 春男 / Haruo IWANO
第 5 著者 所属(和/英) 新潟大学工学部
Faculty of Engineering, Niigata University
第 6 著者 氏名(和/英) 星 陽一 / Yoichi HOSHI
第 6 著者 所属(和/英) 東京工芸大学工学部
Tokyo Polytechnic University
発表年月日 2007-08-09
資料番号 CPM2007-42
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 178
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日