| 講演名 | 2007-08-09 DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 奥山 博基, 園村 拓也, 岩田 展幸, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CNTの位置制御に利用することを提案する。基板表面からCNTが成長しないように、Ni触媒層上にMo被覆層を積層した。ダイヤモンドペン、FIB、リフトオフ法を用い、積層膜を削り取ることにより、断面からNi触媒層を露出させた。CNTは、DCプラズマCVD法を用いて成長させた。SEM像、TEM像から、基板面に垂直な方向に直径約25nmの多層CNTが成長していることを確認した。垂直配向CNTは、触媒層断面のみから成長していた。よって、厚さ数十nmの触媒層断面をナノスケール触媒位置制御に利用できることが確かめられた。今回提案した成長制御技術は、様々なCNTナノデバイスの作製に応用できると期待している。 |
| 抄録(英) | Position and/or direction controlling of CNTs is a necessary process technology to prepare nanoscaled CNT electronic devices, such as scanning probe microscopy tips or electronic measuring nanoprobes. We want to demonstrate a new position-controlling method for vertically aligned CNT (VACNT) growth on edges of catalytic thin films. A Mo film was deposited on a Ni catalyst thin film to prevent CNT growth from surfaces. The bi-layered films were partially shaved using a diamond cutter, FIB, and lift-off method to obtain fresh Ni sectional planes. CNTs were grown using a DC plasma-enhanced CVD method. From SEM and TEM images it was confirmed that multiwalled VACNTs with ca. 25 nm diameter grew vertically to substrate surfaces. The VACNT growth took place from only sectional planes of the catalytic Ni film. The sectional plane with few tens nm thickness acted as an effective nano-catalyst. Conclusively the VACNTs can be grown selectively on sectional planes of catalytic thin films. The technique newly developed in this work will be applied to prepare various CNT nano-devices. |
| キーワード(和) | 垂直配向カーボンナノチューブ / 成長制御 / 断面触媒 / プラズマCVD |
| キーワード(英) | Vertically aligned CNT / Growth control / Catalytic thin film / Sectional plane / Plasma-enhanced CVD |
| 資料番号 | CPM2007-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/8/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Vertically Aligned CNT Growth on Sectional Plane of Catalytic Thin Film Using DC Plasma-Enhanced CVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 垂直配向カーボンナノチューブ / Vertically aligned CNT |
| キーワード(2)（和/英） | 成長制御 / Growth control |
| キーワード(3)（和/英） | 断面触媒 / Catalytic thin film |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマCVD / Sectional plane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥山 博基 / Hiroki Okuyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 園村 拓也 / Takuya Sonomura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
| 発表年月日 | 2007-08-09 |
| 資料番号 | CPM2007-41 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 178 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |