講演名 2007-08-24
25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
小山 健二, 橋本 順一, 石塚 貴司, 辻 幸洋, 山田 隆史, 福田 智恵, 大西 裕, 藤井 康祐, 勝山 造,
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抄録(和) バットジョイント集積技術を用いて、初めてGaInNAs系EA-DFBレーザを試作した。作製した素子は、SMSR45dB以上のシングルモード発振(25~120℃)と、15dB以上の消光特性(25~100℃)を示した。各温度においてEAバイアスを調整することで、25~100℃において2.5Gbpsで無温調で動作した。また素子容量を低減することで、10Gbps動作を実現した。
抄録(英) We for the first time fabricated an EA/DFB laser with a GaInNAs multiple quantum well (MQW) active layer using the butt-joint regrowth technique. Single longitudinal mode operation with side-mode suppression ratio (SMSR) of more than 45dB up to 120℃ and the extinction ratio of more than 15dB up to 100℃ were obtained. The 2.5-Gb/s uncooled operation from 25℃ to 100℃ was successfully demonstrated by changing the EA bias voltage. The 10Gbps operation with low parasitic capacitance structure was also demonstrated.
キーワード(和) GaInNAs / EA/DFB / 無温調
キーワード(英) GaInNAs / EA/DFB / uncooled
資料番号 EMD2007-42,CPM2007-63,OPE2007-80,LQE2007-43
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2007/8/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Uncooled GaInNAs EA/DFB laser operating from 25 to 100℃
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) GaInNAs / GaInNAs
キーワード(2)(和/英) EA/DFB / EA/DFB
キーワード(3)(和/英) 無温調 / uncooled
第 1 著者 氏名(和/英) 小山 健二 / Kenji Koyama
第 1 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:財団法人光産業技術振興協会
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA)
第 2 著者 氏名(和/英) 橋本 順一 / Jun-ichi Hashimoto
第 2 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:財団法人光産業技術振興協会
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA)
第 3 著者 氏名(和/英) 石塚 貴司 / Takashi Ishizuka
第 3 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社半導体技術研究所:財団法人光産業技術振興協会
Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA)
第 4 著者 氏名(和/英) 辻 幸洋 / Yukihiro Tsuji
第 4 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 山田 隆史 / Takashi Yamada
第 5 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:財団法人光産業技術振興協会
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA)
第 6 著者 氏名(和/英) 福田 智恵 / Chie Fukuda
第 6 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 大西 裕 / Yutaka Onishi
第 7 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
第 8 著者 氏名(和/英) 藤井 康祐 / Kousuke Fujii
第 8 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
第 9 著者 氏名(和/英) 勝山 造 / Tsukuru Katsuyama
第 9 著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所:財団法人光産業技術振興協会
Transmission Devices R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.:Optoelectronics Industry and Technology Development Association (OITDA)
発表年月日 2007-08-24
資料番号 EMD2007-42,CPM2007-63,OPE2007-80,LQE2007-43
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 199
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日