| 講演名 | 2007-06-29 GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) 田中 海一, 幾野 敬太, 葛西 洋平, 福永 和哉, 欅田 英之, 江馬 一弘, 菊池 昭彦, 岸野 克巳, |
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| 抄録(和) | 通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高速で緩和するため、光スイッチング素子としての応用が;期待できる。GaN系ISBTは他のISBT試料と比べて特に高速で緩和することができるが、問題点として、サファイア基板との格子不整合によつて生じた貫通転位によるスイッチング効率の低下があげられる。高密度柱状結晶のGaNナノコラムでは、貫通転位を含まない優れた結晶性を有するため、試料の高品質化が望める。そこで我々はGaNナノコラムに多重量子ディスク(MQD)を挿入した試料において、通信波長帯でのISBTによる吸収を確認した。さらに、ポンプ・プローブ法を用いて、ISBT吸収飽和信号の超高速な緩和過程を観測し、性能指数を見積もった。 |
| 抄録(英) | The electronic relaxation process of intersubband transition (ISBT) in semiconductor quantum wells is extremely fast due to strong electron-phonon interactions. ISBT has attracted a lot of attention as a good candidate for all-optical switching devices, because of its speed and tunability to the optical communication wavelengths of 1.2～1.6μm. The GaN-based ISBT has the issue that owing to lattice mismatch between GaN(AlN) and the sapphire substrate, the GaN/AlN epitaxial layer exhibits high-density threading dislocations. Self-organized GaN nanocolumns are essentially free of threading dislocations, and a GaN/AlN multiple-quantum disk (MQD) can be inserted into GaN nanocolumns. Therefore, the nanocolumn-ISBT is expected to improve the switching performance. In this study, we investigated the ultrafast relaxation dynamics of ISBT at 1.55 um in GaN/AlN MQD nanocolumns using the degenerate pump probe technique at 1.55μm and confirmed the high-speed performance of the ISBT was preserved. We also estimated the saturation intensity of the nanocolumn ISBT. |
| キーワード(和) | GaN / サブバンド / 通信波長帯 / 量子井戸 / ナノコラム |
| キーワード(英) | GaN / subband / communication wavelength / quantum well / nanocolumn |
| 資料番号 | OPE2007-22,LQE2007-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2007/6/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Intersubband transition in GaN/AlN multiple quantum disk nanocolumns |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド / subband |
| キーワード(3)（和/英） | 通信波長帯 / communication wavelength |
| キーワード(4)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(5)（和/英） | ナノコラム / nanocolumn |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 海一 / Kaiichi Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 幾野 敬太 / Keita Ikuno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 葛西 洋平 / Yohei Kasai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福永 和哉 / Kazuya Fukunaga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Sophia University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 欅田 英之 / Hideyuki Kunugita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, JST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 江馬 一弘 / Kazuhiro Ema |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, JST |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, JST |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 上智大学理工学部:独立行政法人科学技術振興機構、CREST Faculty of Science and Technology, Sophia University:CREST, JST |
| 発表年月日 | 2007-06-29 |
| 資料番号 | OPE2007-22,LQE2007-23 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 125 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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