| 講演名 | 2007-06-29 MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) 橋本 玲, 櫛部 光弘, 江崎 瑞仙, 西岡 政雄, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | GaAs基板上の量子ドットレーザは,低しきい値電流密度,温度無依存性や高速変調時の波長チャープが小さい等の特徴から,高性能な光通信用1.3μm帯光源として研究が進められている.今回我々は,MOCVD法による量子ドットレーザの作製において,ImAs量子ドットの歪み緩和層にGaInNAs層を用いることで発振波長の長波長化を試み,波長1.31μmにおける低しきい値電流密度0.4kA/cm^2での室温連続発振を達成した. |
| 抄録(英) | Quantum dot laser on GaAs substrates is attractive device for 1.3 μm and 1.55 μm optical fiber communication because of its theoretically predicted properties, such as low threshold current density, high temperature stability and high-frequency modulation with low chirp. We have developed GaInNAs embedded InAs QD lasers on GaAs substrate grown by MOCVD, and achieved a 1.31 μm room temperature continuous wave lasing operation with low threshold current density of 0.4kA/cm^2. |
| キーワード(和) | 量子ドット / レーザ / GaAs基板 / GaInNAs / InAs / 1.3μm |
| キーワード(英) | Quantum Dot / Laser / GaAs substrate / GaInNAs / InAs / 1.3μm |
| 資料番号 | OPE2007-21,LQE2007-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2007/6/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法により作製したGaAs基板上GaInNAs埋め込みInAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room-temperature continuous wave operation of 1.3 μm InAs quantum dot lasers with GaInNAs embedded layer on GaAs substrate grown by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | レーザ / Laser |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs基板 / GaAs substrate |
| キーワード(4)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(5)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(6)（和/英） | 1.3μm / 1.3μm |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 玲 / Rei HASHIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation:Nanoelectronics Collaborative Research Center, University of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫛部 光弘 / Mitsuhiro KUSHIBE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation:Nanoelectronics Collaborative Research Center, University of Tokyo |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江崎 瑞仙 / Mizunori EZAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター:ナノエレクトロニクス連携研究センター Corporate R&D Center, Toshiba Corporation:Nanoelectronics Collaborative Research Center, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西岡 政雄 / Masao NISHIOKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo:Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学先端科学技術研究センター:東京大学生産技術研究所:ナノエレクトロニクス連携研究センター Institute of Industrial Science, University of Tokyo:Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo:Nanoelectronics Collaborative Research Center, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2007-06-29 |
| 資料番号 | OPE2007-21,LQE2007-22 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 125 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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