| 講演名 | 2007-06-29 エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) 内藤 秀幸, 阪本 真一, 大竹 守, 奥村 忠嗣, 丸山 武男, 西山 伸彦, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 半導体薄膜導波路構造を用いるDFBレーザは、量子効果による利得増強効果と併せて従来にない極低電力動作、BCB等の屈折率の温度依存性が負となる材料をクラッド層とすることによる発振波長の温度無依存化が期待できる。これまでの作製法で大面積化・再現性が問題となっていた貼り付け法ではなく、薄膜導波路構造下に予め成長した犠牲層の横方向選択エッチングによるエアブリッジ構造を用いて半導体薄膜BH-DFBレーザを試作した結果、光励起下で10℃～80℃までの連続発振を実現した。最低しきい値励起光強度は20℃で4.3mW、また、レーザの発振波長の励起パワー依存性より見積もった熱抵抗値は11K/mWであった。 |
| 抄録(英) | Membrane DFB laser structure is very promising for ultra low power consumption operation due to an enhanced modal gain and temperature insensitive lasing wavelength by using polymer cladding layers, e.g., BCB, which has negative temperature coefficient of refractive index. We fabricated membrane BH-DFB laser with air bridge structure by a selective etching of a sacrificial layer instead of direct wafer bonding method, which suffers from large wafer fabrication and fabrication reproducibility. A CW operation under optical pumping was attained from 10℃ up to 80℃ and the minimum threshold pump power of 4.3 mW was obtained at 20℃. From the pump power dependence of lasing wavelength, the thermal resistance was estimated to be 11 K/mW for this air-bridge membrane structure. |
| キーワード(和) | DFBレーザ / 薄膜レーザ / 強光閉じ込め / GaInAsP/InP / 横方向選択エッチング |
| キーワード(英) | DFB laser / Membrane laser / High optical confinement / GaInAsP/InP / Laterally selective etching |
| 資料番号 | OPE2007-20,LQE2007-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2007/6/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaInAsP/InP Membrane BH-DFB Laser with Air Bridge Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFBレーザ / DFB laser |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜レーザ / Membrane laser |
| キーワード(3)（和/英） | 強光閉じ込め / High optical confinement |
| キーワード(4)（和/英） | GaInAsP/InP / GaInAsP/InP |
| キーワード(5)（和/英） | 横方向選択エッチング / Laterally selective etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 内藤 秀幸 / Hideyuki NAITOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 阪本 真一 / Shinichi SAKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大竹 守 / Mamoru OHTAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥村 忠嗣 / Tadashi OKUMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 西山 伸彦 / Nobuhiko NISHIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2007-06-29 |
| 資料番号 | OPE2007-20,LQE2007-21 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 125 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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