講演名	2007-06-16 バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 小野 修一, 新井 学,
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抄録(和)	4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の2種類を形成して、逆方向特性を比較した。ブレイクダウン電圧の温度依存性から、アバランシェブレイクダウンであることを確認し、更に、アバランシェブレイクダウン時の発光評価より、ガードリング構造を用いたPINダイオードの方が、メサ構造を用いた場合より、ターミネーション部分への電界集中が緩和されることがわかった。さらに、ガードリング構造を用いたPINダイオードは、インパットダイオードとして良好なRF特性を示した。
抄録(英)	We fabricated the 4H-SiC PiN diodes with mesa structure, and Vanadium ion implanted guard-ring. The reverse characteristics and light emission of the PiN diodes were evaluated under the avalanche breakdown condition. The 4H-SiC PiN diodes with guard-ring showed the uniform avalanche breakdown characteristics, and showed the good RF characteristics for IMPATT diode.
キーワード(和)	4H-SiC / PiNダイオード / アバランシェブレイクダウン / バナジウム / ガードリング / インパットダイオード
キーワード(英)	4H-SiC / PiN diode / avalanche breakdown / Vanadium / guard-ring / IMPATT diode
資料番号	ED2007-46
発行日

研究会情報
研究会	ED
開催期間	2007/6/8(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Electron Devices (ED)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Reverse characteristics of 4H-SiC PiN diode with Vanadium ion implanted guard-ring
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	4H-SiC / 4H-SiC
キーワード(2)（和/英）	PiNダイオード / PiN diode
キーワード(3)（和/英）	アバランシェブレイクダウン / avalanche breakdown
キーワード(4)（和/英）	バナジウム / Vanadium
キーワード(5)（和/英）	ガードリング / guard-ring
キーワード(6)（和/英）	インパットダイオード / IMPATT diode
第 1 著者 氏名（和/英）	小野 修一 / Shuichi Ono
第 1 著者 所属（和/英）	新日本無線株式会社 New Japan Radio Co., Ltd.
第 2 著者 氏名（和/英）	新井 学 / Manabu Arai
第 2 著者 所属（和/英）	新日本無線株式会社 New Japan Radio Co., Ltd.
発表年月日	2007-06-16
資料番号	ED2007-46
巻番号（vol）	vol.107
号番号（no）	95
ページ範囲	pp.-
ページ数	5
発行日