| 講演名 | 2007-06-16 Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 佐藤 政孝, 宮川 晋悟, 工藤 尚宏, 永田 翔平, 田島 卓, 中村 徹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | Alイオン注入4H-SiCについて、イオン注入層の電気特性とpnダイオード特性のイオン注入熱処理温度依存性について評価している。イオン注入は、Al濃度が3x10^<20>/cm^3、イオン注入層の厚さが約200nmであるBox様プロファイトなるように行っている。1900℃での熱処理にイオン注入層のシート抵抗は5.8kΩ/□、Ti/Alオーミック電極の接触抵抗率は2.5x10^<-5>Ωcm^2であった。同時に評価したpnダイオードでは、1,700および1800℃における熱処理で作製したダイドードはリーク電流が多く、pn接合界面にイオン注入欠陥の残留を示唆している。イオン注入されたAlの電気的活性化とともに1,900℃での高温熱処理が有効であることがわかった。 |
| 抄録(英) | The electrical properties of p^+n 4H-SiC diode formed by Al ion implantation have been investigated as a function of annealing temperature. Al ions are implanted to fabricate p-type layer with a level of 3 x 10^<20>/cm^3 in the n-type epitaxial layer grown on n^+ 4H-SiC substrate. The Al implanted sample, annealed below 1800℃ shows the forward current including the resistive current components and the reverse current ranged in the order of 10^<-4> A/cm^2. The p^+n diode formed by annealing at 1900℃ reveals the reverse current as low as 10^<-6> A/cm^2. It is suggested that the annealing above 1900℃ is effective to reduce the implantation-induced defect at the interface between Al implanted p^+ layer and the underlying n-type epitaxial layer. |
| キーワード(和) | シリコンカーバイド / イオン注入 / 電気特性 / ダイオード |
| キーワード(英) | SiC / Ion implantation / pn diode |
| 資料番号 | ED2007-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Al Ion Implanted 4H-SiC Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンカーバイド / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 電気特性 / pn diode |
| キーワード(4)（和/英） | ダイオード |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 政孝 / Masataka SATOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮川 晋悟 / Shingo MIYAGAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 工藤 尚宏 / Takahiro KUDOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 永田 翔平 / Shohei NAGATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田島 卓 / Taku TAJIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中村 徹 / Tohru NAKAMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 発表年月日 | 2007-06-16 |
| 資料番号 | ED2007-45 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |