| 講演名 | 2007-06-16 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 野本 一貴, 田島 卓, 三島 友義, 佐藤 政孝, 中村 徹, |
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| 抄録(和) | 本研究では低ゲートワーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの作成を行った。アンドープGaN/AlGaN/GaNのソース・ドレイン電極下に選択的に高濃度イオン注入を行いオン抵抗の低減を図った。また同時に、直流特性の評価も行った。注入エネルギー80keV、実効注入量1.0×10^<15>/cm^2のときイオン注入を行っていないものと比べて、オン抵抗は26.2から4.2Ω・mmと減少した。このとき、最大飽和電流、相互コンダクタンスはそれぞれ284から723mA/mm、48から147mS/mmへと増加した。 |
| 抄録(英) | We were demonstrated the realization of compatibility of extremely low gate leakage current and low source resistance with Si ion-implanted GaN/AlGaN/GaN surface-stabilized high-electron mobility transistor (HEMT) without any recess etching process. The source/drain regions were formed using Si ion implantation into undoped GaN/AlGaN/GaN on sapphire substrate. Using ion implantation into source/drain regions with energy of 80 keV, the performances were significantly improved. On-resistance reduced from 26.2 to 4.2 Ω・mm. Saturation drain current and maximum transconductance increased from 284 to 723 mA/mm and from 48 to 147 mS/mm. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / イオン注入 / 高電子移動度トランジスタ |
| キーワード(英) | GaN/AlGaN/GaN / Ion Implantation / HEMT |
| 資料番号 | ED2007-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTの研究(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Extremely Low Gate Leakage Current |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / GaN/AlGaN/GaN |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入 / Ion Implantation |
| キーワード(3)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野本 一貴 / Kazuki NOMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田島 卓 / Taku TAJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi MISHIMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立電線株式会社 R&D Group, Hitachi Cable Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 政孝 / Masataka SATOH |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 徹 / Tohru NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 法政大学マイクロ・ナノテクノロジー研究センター Department of EECE and Research Center for Micro-Nano Technology, Hosei University |
| 発表年月日 | 2007-06-16 |
| 資料番号 | ED2007-44 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |